北京
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KIOXIA（铠侠）当地时间7月30日宣布，已开始出货采用第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的1Tb三层单元（TLC）存储器件的样品。
与先前送样的BiCS9 512Gb TLC版本不同，此次样品采用了230层存储阵列，在堆叠层数上与BiCS8处于同一水平。同时，该器件还沿用了与BiCS10相同的CMOS技术，NAND接口速率提升至4.8 Gb/s。
这意味着铠侠在BiCS9世代上同时推进了两种不同规格的产品路径。512Gb版本面向特定容量需求，而1Tb TLC版本则借助更成熟的堆叠和先进的接口技术，试图在中低容量市场强化性能与能效表现。
铠侠方面表示，第九代BiCS FLASH的目标场景是对中低容量存储有高性能、卓越能效要求的应用。作为后续布局，提升至332层的第十代BiCS FLASH产品将瞄准未来大容量、高性能解决方案的需求。
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