广东
上期我们说到了长鑫科技，并在最后提到了和长鑫并驾齐驱的国产双雄长江存储，今天就来说说长存的故事。
时间倒回到2015年，这一年，发展存储器芯片被确定为国家战略，存储芯片国产化浪潮席卷而来。2016年国家存储器基地落户武汉光谷，正式组建了长江存储。
与长鑫不同，长江存储瞄准的是NAND闪存。
NAND闪存是一种非易失性存储器。这意味着，即使设备断电，它存储的数据也不会丢失，我们常用的U盘、固态硬盘、手机存储空间等，核心部件都是NAND闪存。
传统的NAND闪存是2D的，想要提升内存容量就只有两个途径，要么把芯片工艺做得更小，在同样大小的晶圆上多刻一些存储单元；要么升级多层单元技术，让一个单元能存更多数据。
但正如摩尔定律会受到物理极限的限制一样，当2D NAND制程缩小到一定级别后，各个存储单元挨得太近，充电时会互相干扰，不仅数据容易出错，保存时间也会变短。
于是3D NAND技术应运而生。这是一种新的闪存技术，它将存储单元垂直堆叠，能够在有限的芯片面积内实现更高的存储容量。
长江存储自主研发的Xtacking（晶栈）技术，就是全球3D NAND闪存公认的领先技术之一。
它的创新之处在于将存储单元与外围电路分离，在两片独立的晶圆上分别制造，再通过混合键合技术精准地“粘贴”在一起。
这样做的好处就是解决了一直以来3D NAND存储单元与外围电路捆绑制造所带来的性能妥协、面积浪费和良率互扰问题。
也正是这项技术，让长存从追赶者变成了存储技术的定义者。
三星、美光这些国际巨头，用传统架构做232层闪存，量产良率大概只有82%到84%；而长江存储靠着Xtacking分体制造的优势，232层产品峰值良率能冲到92.5%，大规模量产之后，也能稳定维持在90%以上。
别小看这几个点的良率差距，放在芯片量产里，超高良率就意味着更低的单片成本、更少的报废损耗，也是长江存储能打价格战、站稳市场的核心底气。
而同时，芯见RCM远程控制管理系统通过将机台信号传输至远端控制中心，减少了人员进出，保证了厂区洁净，也进一步保证了芯片的良率。
2025年，三星电子与长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议。这是中国芯片企业首次向国际巨头收取专利费。
而长江存储的全球NAND闪存市场份额，也从2020年不足1%的水平，一路狂飙，到2025年第三季度，出货量已经冲到了13%，稳居全球一线厂商队列。
这几年全球存储行业确实很猛，但国产存储能集体崛起，不只是赶上了风口。更关键的是，在行业低谷的那几年，本土产业链沉下心搞研发、补短板，完成了底层技术和产业架构的积累。
可以说，中国存储的逆袭故事，其实才刚刚开始。
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