阿斯麦业绩超预期：“这种情况我们很多年未曾遇到过”

记者 郑晨烨

7月15日，全球最大的光刻设备制造商阿斯麦（ASML）发布了2026年第二季度业绩报告。

报告显示，该公司当季收入93.27亿欧元，同比增长21.3%；净利润29.18亿欧元，同比增长27.4%，净利润率31.3%；毛利率54.0%，高于此前51%至52%的指引区间。另外，ASML还将2026年全年收入指引上调至430亿至450亿欧元，这是其年内第二次上调。

ASML目前是全球唯一能制造EUV光刻机（极紫外光刻机）的企业。EUV光刻机使用波长13.5纳米的极紫外光作为光源，是制造7纳米及以下先进芯片的必需设备。根据公开信息，目前在售的EUV光刻机单台售价超过2亿美元。

最近一段时间，芯片行业出现了以多层堆叠为代表的技术方向，目标是在不追逐最先进光刻设备的条件下继续提升芯片性能。围绕这条路线的讨论持续升温，先进制程光刻设备在新的技术方向下还有多重要，是当前半导体行业争论的焦点之一。

在行业讨论先进制程光刻设备能否绕开的时候，ASML把全年收入预期推到了上市以来的最高水平。ASML首席财务官罗杰·达森（Roger Dassen）在第二季度电话会上表示，客户传递的需求信号非常强劲，EUV光刻机订单已提前两年开始积累，“这种情况我们很多年未曾遇到过”。

二季报超预期

根据财报，ASML的收入由两部分构成。

一部分是光刻系统的销售，包括EUV光刻机和DUV光刻机（深紫外光刻机）各型号的新机出货以及少量二手设备交易。另一部分是装机管理业务，包括对已售出设备的服务、备件供应和性能升级等。对于ASML的客户而言，买入一台光刻机只是开始，只要设备还在晶圆厂中运行，维护、备件和升级的费用就会持续产生，这部分收入的稳定性较高。

2026年上半年，ASML总收入180.93亿欧元，同比增长17.2%；净利润52.36亿欧元（欧盟国际财务报告准则口径），同比增长4.1%。其中装机管理业务上半年收入52.49亿欧元，同比增长28.1%，占总收入的比重升至29%。

第二季度单季，ASML光刻系统销售额65.65亿欧元，装机管理业务收入27.62亿欧元，合计收入93.27亿欧元；净利润29.18亿欧元，每股收益7.59欧元。

一位长期跟踪半导体设备的券商分析师向经济观察报记者分析，ASML第二季度收入与毛利率双双超过指引上沿，装机管理业务是主要贡献，原因是客户在现有晶圆厂中迫切需要扩大产能，性能升级的需求非常强劲。

ASML上半年销售的光刻系统按终端用途分为逻辑类和存储类。其中逻辑类系统销售额64.43亿欧元，存储类系统销售额64.02亿欧元，两者体量已基本持平。值得关注的是，作为全球主要存储芯片厂商三星电子和SK海力士的所在地，韩国是ASML 2026年上半年最大的单一市场，上半年贡献收入70.86亿欧元。

ASML首席执行官克里斯托夫·福凯（Christophe Fouquet）在第二季度业绩说明中给出了2026年全年的分业务收入指引——与先进逻辑芯片相关的净系统销售额预计同比增长约25%，与存储芯片相关的净系统销售额预计同比增长约75%，EUV设备的净系统销售额预计同比增长约45%。

也就是说，存储芯片正成为ASML各业务板块中收入增速最快的方向。

另外，ASML相关财报显示，中国大陆客户占其总净销售额的比重在过去几年波动明显：2023年，中国大陆客户占比为29.1%；2024年上升至36.1%，约合102亿欧元；进入2026年，ASML给出的全年指引为占比约20%。

这种波动的背景是出口管制的逐步收紧：ASML 2025年年报披露称，根据荷兰、美国及其他适用法律，ASML出口EUV光刻机、特定浸没式DUV光刻机及部分其他产品均需取得出口许可证；公开信息显示，2018年荷兰政府曾批准ASML向中国大陆出口一台EUV光刻机，但该设备始终未能交付，自2019年起EUV光刻机对中国大陆的出口许可未再获批；2023年，荷兰将最先进的浸没式DUV光刻机纳入出口许可管理；2024年，在役设备的维修服务也纳入了许可范围；2025年，管制进一步扩展到量测和检测设备，ASML向中国大陆客户销售的设备范围持续收窄。

ASML首席财务官罗杰·达森在第二季度电话会上说，中国大陆的业务增长与整体业务保持一致，主要来自主流逻辑芯片领域的需求，占比约20%，但基数在变高。

ASML第二季度按台数出货最多的机型是KrF光刻机（氟化氪光刻机），共35台。KrF光刻机使用波长248纳米的氟化氪气体作为光源，主要用于成熟制程芯片的制造。

美银分析师迪迪埃·谢马马（Didier Scemama）在6月份发布的一份研报中认为，中国大陆存储芯片厂商正在建设新的晶圆厂，待厂房建成投产后将产生新的设备采购需求，ASML来自中国大陆存储客户的收入有望在2027年恢复增长。基于这一判断，美银将ASML明年来自中国大陆销售额的预测从持平上调为增长9%。

在收入结构之外，ASML的产能规划同样受到市场关注。

ASML的EUV光刻机分为两代：当前量产的一代称为“低NA EUV”（NA即数值孔径，数值孔径为0.33），下一代称为“高NA EUV”（数值孔径为0.55），数值孔径越大，分辨率越高。

达森在ASML第二季度业绩电话会上介绍，ASML当前的低NA EUV年产能约65台，公司计划2027年增产约30%，并正在研究2028年继续增产30%的可行性；浸没式DUV的年产能约130台，2027年和2028年同样各计划增产约30%。

达森说，ASML 2027年的低NA EUV订单已接近全覆盖，2028年的低NA EUV订单也已提前两年开始积累，“这种情况我们很多年未曾遇到过”。

ASML正在研究的2028年低NA EUV产能目标是110台，但达森在电话会上表示，公司尚未收到针对这一目标的正式采购订单，之所以启动研究，是因为客户传递的需求信号非常强劲。

前述券商人士告诉经济观察报记者，买方在财报前对ASML 2027年EUV出货量的预期大约在90至100台，按增产30%推算，ASML给出的节奏约为85台，其实是低于买方预期的。

ASML的低NA EUV光刻机按照推出时间先后分为D型、E型和F型三代。三代机型的核心差别在于每小时能处理的晶圆数量，E型比D型更快，F型又比E型更快，每一代的单台售价也随之提高。

达森亦在第二季度电话会上说，D型是目前在售机型中最早的一代，由于蔡司SMT供应的特定光学组件库存即将耗尽，这一型号今年将停止生产，明年起ASML只出货E型和F型。他同时表示，由于新一代机型处理晶圆的速度明显更快，同样增产30%的台数，客户实际获得的晶圆产能增长约为45%。

达森在电话会上还强调，当前的市场环境使ASML拥有比过去更大的定价灵活性，公司正在积极落实。他说，过去ASML的惯例是只按照设备生产率的提升来定价，套刻精度（上下两层图案的对齐精度）和成像质量方面的改进并不额外收费，但在当前的需求环境下，ASML正在与客户讨论如何就这部分额外价值获得相应的回报。

曝光越堆越多

在推进现有产品迭代的同时，ASML的下一代产品也迎来了一个新的节点。

7月15日当天，英特尔宣布其代号Panther Lake的Intel Core Ultra Series 3处理器部分产品层采用高NA EUV光刻技术进入量产，为业界首次。高NA EUV是EUV光刻机的下一代产品，其透镜的数值孔径从0.33提高到了0.55，分辨率从13纳米提高到了8纳米，一次曝光可以替代此前需要三到四次低NA曝光才能完成的图案。

福凯在第二季度电话会上评价，这是高NA EUV技术走向成本优势“迄今最有力的信号”。

华尔街研究机构伯恩斯坦的分析师大卫·戴（David Dai）在7月6日发布的一篇名为《高NA极紫外光刻成本深度剖析：光刻强度上升》的研报中判断，高NA EUV更有可能先在存储芯片领域得到采用，原因是存储芯片的裸片面积较小，高NA EUV一次曝光就能覆盖整个芯片。

芯片按功能大致分为两类。一类是逻辑芯片，负责计算和处理任务，CPU、GPU和AI加速器都属于这一类。另一类是存储芯片，负责数据的存放和读取，DRAM（动态随机存取存储器，手机、电脑和服务器中用于临时存放运行数据的芯片）和NAND（一种非易失性存储芯片，用于固态硬盘等长期数据存储）是两种主要类型。

传统上，提升芯片性能的主要办法是把晶体管做得更小，但这条路目前面临的瓶颈越来越明显。于是，近期行业出现了多层堆叠的技术方向，即把芯片电路拆分到纵向堆叠的多层晶圆上，层与层之间用微米级的铜连接点对齐键合，信号纵向穿越而非在平面上绕行。

在“多层堆叠”的架构下，芯片不必追逐最先进的制程节点，就能在既有节点内提升性能。这条路线降低了对EUV光刻机的依赖，但堆叠架构下的每一层晶圆仍然需要单独制造，每一层的制造也都包含完整的光刻工序，只是这些光刻工序可以用DUV光刻机完成。

按照镜头与硅片之间是否注入液体，DUV分为浸没式和干式两种：浸没式DUV在镜头与硅片之间注入一层纯水，利用水的折射率提升分辨率，精度更高，主要用于28纳米至7纳米制程；干式DUV没有液体介入，成本更低，用于更成熟的制程。

ASML是浸没式和干式DUV光刻机的主要供应商。

芯片说ICTIME首席分析师林美炳在接受经济观察报记者采访时表示，堆叠路线的工艺代价很明确：每多堆叠一层晶圆，就要多做一轮完整的光刻、薄膜沉积（在晶圆表面覆盖一层极薄的材料）和化学机械抛光（将晶圆表面磨到纳米级平整度）流程，设备和材料的用量接近翻倍。他同时表示，堆叠路线对浸没式DUV设备的需求不降反升，堆叠的层数越多，浸没式DUV需要完成的曝光次数就越多。

最近两年，AI应用的爆发带动了对高性能存储芯片的需求，供应紧张促使存储厂商大规模扩建晶圆厂。与此同时，存储厂商正从成熟制程向先进制程迁移，新的制程节点需要更多的EUV和DUV曝光层数。

福凯在7月15日的ASML第二季度业绩电话会上说，随着存储客户向先进制程节点迁移，DRAM的光刻强度（光刻支出占晶圆厂设备总支出的比重）持续上升，正在快速放量的制程节点采用的EUV工艺层数在增多，多重曝光工艺正在被更具成本效益的单次曝光技术替代。

福凯称，DRAM对ASML而言是一场“完美风暴”。

ASML预计今年存储相关系统销售额增长超过75%。

多家投行在今年二季度发布的研报中也得出了方向一致的判断。比如，高盛分析师亚历山大·杜瓦尔（Alexander Duval）在5月底发布的一份研报中认为，以堆叠替代微缩的技术路线意味着更高的光刻强度，尤其是DUV强度；伯恩斯坦分析师大卫·戴也在前述研报中测算，光刻支出占晶圆厂设备总支出的比重将从2025年的约24%升至2028年的约26%。

系统集成和国产替代

公开信息显示，一台EUV光刻机重约180吨，包含超过10万个零件、3000根线缆、4万颗螺丝和超过2公里的软管。

它的光源激光器以双脉冲的方式，每秒击打约5万颗直径约30微米的锡滴，锡滴被击中后形成温度约22万摄氏度（约为太阳表面温度的30至40倍）的等离子体，等离子体释放出波长13.5纳米的极紫外光，再经由一系列反射镜组将光束投射到硅片表面。

制造这样一台设备需要一个庞大的供应商网络。根据ASML 2025年年报，该公司共有约5100家供应商，其中与产品直接相关的约900家，其余为非产品类供应商。普华永道则在一份关于ASML供应链的研究报告中指出，一台EUV光刻机约85%的零部件来自外部供应商，ASML自产约15%。

从供应链结构看，ASML更接近一个系统集成商的角色，产能上限取决于关键供应商的交付能力。而在其900家产品供应商中，有两家的地位尤为特殊。

第一家是德国光学企业蔡司SMT（Carl Zeiss SMT GmbH）。

ASML在年报中表示，蔡司SMT是ASML透镜、反射镜、照明器和收集器等全部光学部件的独家供应商，双方签有排他安排，“公司能生产的光刻系统数量受限于关键供应商之一蔡司SMT的产能”。

除了独家供应关系，ASML还是蔡司SMT的股东和债权人。根据ASML 2016年11月发布的公告，ASML以10亿欧元收购蔡司SMT 24.9%的股权，另承诺在六年内提供约2.2亿欧元的研发支持和约5.4亿欧元的产能投资，主要投向蔡司位于德国奥伯科亨的生产基地。ASML在相关财报中使用“两家公司，一项事业”来描述双方的关系，框架协议自1997年延续至今。

蔡司SMT对ASML产能的影响在今年有过具体的体现。比如，达森在第二季度电话会上解释了ASML今年上半年浸没式DUV出货偏少的原因——蔡司SMT按2025年时较低的需求预期准备了浸没式光学系统的产能，但实际需求远超预期。

第二家是德国激光企业通快。

根据通快官方信息，该公司是ASML EUV光源激光器的独家供应商，新一代激光器包含超过45万个零件，重量超过20吨。另外，根据ASML 2025年10月发布的新闻稿，ASML在当月举行的供应商日活动上向通快颁发了技术类供应商奖，表彰其新一代EUV高能激光器实现“首光”。

ASML战略采购高级副总裁希拉·林德斯（Sheila Leenders）在上述新闻稿中表示，ASML非常期待接收通快的新一代激光器，新激光器将提升ASML EUV产品的可用性和功率，同时降低能耗。

蔡司SMT掌握光学系统，通快掌握光源系统，两家企业都不可替代。而在其他环节，ASML正在尽可能地减少外部依赖。比如，根据公告信息，ASML在过去十余年中先后完成了三桩收购——2012年收购美国光源企业赛默，获得了EUV和DUV激光光源的自主制造能力；2016年收购荷兰电子束量测企业汉民微测，补齐了芯片制造过程中检测图案缺陷的环节；2020年收购德国精密光学组件企业柏林玻璃，后者主要生产光刻机的晶圆台（承载和精确移动硅片的平台）和镜块组件。

ASML的供应链高度集中在欧洲。而在国内，围绕光刻机及其零部件的国产替代也在推进。

比如，在整机层面，上海微电子长期从事光刻机整机的研发与制造，是国内这一领域的代表性企业。在零部件和配套环节，一批A股上市公司也具备了相关的技术积累——茂莱光学（688502.SH）从事深紫外光学器件和物镜镜头的研发，相关产品可应用于光刻机的曝光系统；波长光电（301421.SZ）在深紫外光学镜片、平行光源系统等方向有所布局；美埃科技（688376.SH）则在半导体制造所需的洁净室过滤设备方面具备供应能力。

这些企业的技术方向，覆盖了光刻机的光学、光源和配套等多个环节。通过多层堆叠等工艺路线，芯片厂商或许可以降低对EUV设备的依赖，但每一层堆叠的晶圆仍然需要DUV来完成曝光，光刻机本身是绕不开的。

在采访过程中记者了解到，对于国内半导体产业而言，最先进的EUV光刻机短期内仍是难以逾越的门槛，而DUV环节的国产化条件相对较为成熟，在当前的技术方向上也有更大的腾挪空间。另外，在多层堆叠路线推高光刻强度的趋势下，DUV恰恰也是未来几年需求增速最快的光刻设备类型。