韩国力求通过8800亿美元的AI投资计划实现全球领先

来源：市场资讯

（来源：红刊价投）

文丨陈永芝

编辑丨吴海珊

6月底，韩国政府宣布预计将投资约800万亿（5,180亿美元）韩元在韩国西南部建设四座芯片工厂，三星电子、SK海力士将分别新建两座晶圆厂。 此外，Naver（韩国大型云服务商）等企业还将投入550万亿韩元（约3698亿美元），计划到 2029年新增8.4吉瓦AI数据中心容量；这些投资共同推动韩国在未来几年 AI 投资规模达到 1,350 万亿韩元（8,800 亿美元）。韩国政府计划在五年内将存储产能翻一番，以确保该国在全球的领先地位，同时推动 DRAM 向高带宽内存 (HBM) 以及 NAND（非易失性存储芯片）向企业级固态硬盘 (eSSD) 的转型，为 AI 数据中心的快速增长增添动力。

我们的计算显示，受强劲的AI需求推动，2026年DRAM和 NAND价格将分别上涨200%和300%，因为晶圆厂的建设需要数年时间，短期内供应 将难以满足需求。 AI投资料将保持强劲势头，彭博行业研究 (BI) 预计，到2030年底，全球云服务巨头的总支出将超过5万亿美元。

扩张背景下SK海力士料将保持

HBM4领先地位

彭博行业研究预计 SK 海力士今年的年度经营现金流将达到200万亿韩元（1300亿美元），即使该公司进一步上调45万亿韩元（300亿美元）的资本支出指引，其自由现金流仍将保持正值。该公司的投资目标包括M15X产能和先进制程的迁移，龙仁第一晶圆厂预计将于2027年第一季度竣工，位于韩国清州和美国印第安纳州的封装厂届时也将建成。

三星电子和SK海力士的800万亿韩元（5180亿美元）芯片相关资本支出将用于在韩国新建的四座晶圆厂，预计将在 2027年之后实现产能扩张，这意味着DRAM和NAND价格保持在高位的市场格局将持续至2027年底。SK海力士今年开始量产HBM4（预计市场规模达1000亿美元），在与台积电在先进封装领域的合作以及获得英伟达合同的助力下，SK海力士有望进一步巩固其领先地位。

在存储市场超级周期的推动下，SK海力士的经营和财务状况均有所改善。由于现金流充裕，而且SK海力士在美国上市有望降低融资成本，因此新增的晶圆厂投资不太可能对其信用状况构成压力。预计到年底，Ebitda（息税折旧摊销前利润）将增长近四倍，净现金和自由现金流缓冲将在2026年达到1000亿美元，2027-2028年间有望超过1780亿美元。HBM和DRAM供应紧张预计将导致芯片紧俏态势持续至 2028年，但由AI驱动的转型有望减轻需求波动的影响。尽管在HBM领域来自三星电子和美光科技的竞争正在加剧，但高良率、产能扩张、HBM4量产以及与英伟达更紧密的合作有望维持SK海力士的优势。

Kioxia搭上NAND东风

新建晶圆厂料加大市场压力

受 NAND业务强劲的盈利能力以及数据中心对eSSD需求上升推动，Kioxi (全球第三大NAND厂商）预计到2027财年Ebitda 将激增逾四倍。随着SK海力士和三星电子新建的晶圆厂的产能增加，可能会对市场造成压力。不过，产能增长要到 2028年才会实现，这为Kioxia留出建立流动性缓冲的时间。该公司计划于2027年春季前在美国上市，此举有望降低融资成本并提高灵活性。2026年既定销量以及与云服务巨头的合同有助于现金流稳定增长，而受AI需求、供应紧张和补库等因素推动的NAND价格上涨，将使eSSD成为利润的关键驱动力。

AI基础设施增长以及企业对SSD的需求上升将为经营和财务状况提供支撑。随着AI工作负载推动存储需求增长，预计2027财年Ebitda增长逾四倍，充裕的净现金则可为应对市场波动提供缓冲。今年所有产能已签约，该公司正与云服务巨头协商签署多年期供货合同，以防范数据中心投资放缓时可能出现的需求风险 -- 这种情况发生的概率似乎较小。2027年之后，韩国NAND产能扩张可能会对市场造成压力，但Kioxia庞大的生产基地、强大的客户网络以及先进的研发能力将巩固其竞争优势。我们的计算显示，2026年NAND价格可能飙升300%，有助于进一步增强该公司的信用状况。

（本文系彭博行业研究分析师原创供稿。嘉宾观点仅代表个人，不代表本刊立场。）

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