北京
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北京时间7月17日凌晨，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森研究团队在《科学》（Science）期刊发表研究成果。该团队发明的“量子闪存”（Quantum Flash）技术，成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，并首次在室温（27℃）环境下清晰观测到单电子的非易失性存储行为。
这一发现突破了此前“单电子存储”无法实现的认知。研究将电荷存储的信息密度提升至理论极限，实现了“一电子一比特”。同时，该研究为面向人工通用智能（AGI）需求的高密度存储器研发提供了新的技术基础。
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本文源自：市场资讯
作者：疏桐
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