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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有第一隔离沟槽的半导体器件以及制造方法”的专利，公开号CN122396286A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，半导体器件包括第一导电类型的下半导体衬底层、上半导体衬底层、插在下半导体衬底层和上半导体衬底层之间的图案化掩埋半导体衬底层。图案化掩埋半导体衬底层包括第二导电类型的第一部分、与第一部分横向间隔开的第二导电类型的第二部分、横向布置在第一部分和第二部分之间的中间区。半导体器件包括第一隔离沟槽，其形成在上半导体衬底层的上主表面处并在竖直方向上延伸穿过上半导体衬底层并穿过图案化掩埋半导体衬底层的中间区进入下半导体衬底层。第一隔离沟槽与图案化掩埋半导体衬底层的第一部分和图案化掩埋半导体衬底层的第二部分间隔开。第一隔离沟槽包括形成在第一隔离沟槽的内侧壁处的第一绝缘材料，并且第一隔离沟槽用第一导电材料填充。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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