吉林
这些年， “摩尔定律已死” 的论调，在半导体行业始终未曾停歇。
但每一代光刻技术的关键落地，都在一次次把芯片制程的物理边界向前推进。
ASML官方今日正式宣布，英特尔晶圆代工业务已在量产环境中成功部署高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）技术，正式进入高量产阶段。
这套当前全球最尖端的光刻技术，首先落地在Intel 18A制程节点上，主要用于生产代号为Panther Lake的酷睿Ultra Series 3处理器的部分芯片层。
ASML透露，特定的Intel 18A芯片层已在美国俄勒冈州工厂通过High NA EUV双重认证，目前出货给客户的产品良率，已经可以和现有成熟的NXE平台相媲美。
现阶段双方仅在精选的芯片层采用High NA EUV完成图案化，借此收集真实量产数据，进一步优化系统设置、提升设备运行时长，为后续全面释放技术潜力、扩大应用范围铺路。
随着本次官宣落地，英特尔晶圆代工也正式成为全球首家使用High NA EUV技术，出货大规模量产逻辑芯片的企业。
ASML总裁兼首席执行官Christophe Fouquet表示，High NA EUV带来了更高的分辨率与更优的制程控制，是半导体光刻技术的重大进步！
他同时提到，这套技术将支撑更精细、更密集的芯片图案化能力，进一步加速AI与其他新兴科技的发展。
英特尔晶圆代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran则强调，这一里程碑展现了双方紧密的技术合作，也证明High NA EUV能够规模化融入先进半导体制造流程。
在18A节点的部分产品层验证这套工艺，既能借助现有设备为客户扩充产能，也能为后续先进节点实现领先的性能、密度与制造弹性，预留了更多技术路径。
回溯双方的合作历程，High NA EUV 的量产落地并非一蹴而就。
早在2023年底，ASML 就向英特尔交付了首台High NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000，主要作为试验机使用。
2024年，这套系统在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X完成安装，这里是英特尔的核心半导体技术研发基地，用来积累设备使用经验、打磨工艺细节。
2025年12月，英特尔又完成了第二代High NA EUV系统 TWINSCAN EXE:5200B的安装，这也是目前全球最先进的光刻设备，规划用于Intel 14A制程节点。
英特尔同时也是全球首家安装并通过该二代系统验收测试的企业。
在标准运行条件下，EXE:5200B的每小时晶圆产能可达175片，英特尔计划后续通过优化调整，将产能提升至每小时200片以上，新系统的套刻精度也提升至0.7nm，。
就在High NA EUV进入成熟期的同时，ASML也同步交出了超出市场预期的二季度成绩单。
2026 年第二季度，ASML总净销售额达93亿欧元，毛利率为54%，净利润29亿欧元，营收与毛利率两项核心指标均高于此前的业绩指引。
对于2026年第三季度，ASML预计总净销售额在110亿至120亿欧元之间，毛利率区间为55% 57%。
全年来看，ASML已上调 2026年整体业绩预期，总净销售额预计在430亿至450亿欧元，毛利率维持在54%至56%区间。
High NA EUV的正式量产，既是光刻技术的又一次关键进阶，也为摩尔定律在先进制程节点的延续，补上了最关键的一块拼图。
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