美银：SK海力士2028新增产能或仅为原计划的六分之一，DRAM价格操纵争议再起！

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（来源：invest wallstreet）

美国银行报告揭示，SK海力士至2028年实际可新增产能或仅为原计划的六分之一，韩国"2030年产能翻倍"目标几近落空。更棘手的是，三星、SK海力士与美光已遭美国联邦法院集体诉讼，被指串谋操纵DRAM价格——产能严重滞后的现实，正让三大巨头的法庭抗辩愈发被动。

一、报告综述

美国银行（BofA）在2026年7月11日发布的全球存储周报中，抛出一枚重磅判断：SK海力士至2028年实际可新增的存储芯片产能，可能仅为最初规划水平的六分之一。这一判断不仅直接冲击了市场对DRAM供给大幅增加的预期，更与此前已启动的DRAM价格操纵集体诉讼形成了微妙的逻辑呼应。

1.1 核心判断：产能扩张严重滞后

美银的报告主要基于两重分析逻辑：

第一重：净增产能远低于名义扩产。 韩国总统李在明此前高调宣布了"2030年存储芯片产能翻倍"的目标，三星与SK海力士将分别投资400万亿韩元（约2660亿美元），在韩国西南部光州和全罗建设大型晶圆厂。然而美银指出，扣除旧厂因技术升级关闭以及制程微缩导致的产能减损后，韩国每年实际净增的运营存储晶圆产能不足10%，到2030年的累计增幅将远不及翻倍水平。

第二重：基建周期远超预期。 据存储芯片行业知情人士透露，仅完成光州和全罗厂区的地基建设就需要约五年时间，此后还需三到四年用于洁净室搭建及芯片制造设备安装，完整建立两处厂区的制造生态系统预计耗时超过十年。这意味着任何新产能的大规模释放，在2028年之前都难以实现。

1.2 美银同期上调价格预测

值得注意的是，美银在发布产能判断的同时，大幅上调了2026-2027年全球存储芯片价格和营收预测。美银专有的"存储景气指标"在5月录得183，远超2017/2024年周期峰值（120-130）。具体预测如下：

指标

2026年预测（同比）

2027年展望

DRAM营收

+325%

+45%

NAND营收

+299%

+30%

DRAM ASP

+249%

+25%

存储市场规模

约8918亿美元

突破1.2万亿美元

美银明确判断，2026年存储市场规模将接近9000亿美元，2027年突破1.2万亿美元——这已非单纯的周期复苏，而是AI驱动的"超级周期"在量价齐升下的体现。

二、DRAM价格操纵争议剖析

2.1 集体诉讼的基本事实

2026年6月25日，14名美国消费者与3家小型PC零售商在加利福尼亚州北区联邦法院提起集体诉讼（案号3:26-cv-06345），将三星电子、SK海力士与美光科技告上法庭。

诉状的核心指控是：三家公司凭借其在全球DRAM市场合计95%的寡头份额，以向AI高带宽内存（HBM）战略转型为名，协同压缩DDR3、DDR4等传统DRAM产能，导致相关价格在过去四年内暴涨约700%。

原告将苹果公司近期对iPad和Mac产品线的全面提价援引为直接损害案例，视为提起诉讼的直接导火索。

2.2 历史前科：并非首次

本案最值得关注的法律背景是：三星与SK海力士曾在2000年代初就美国司法部提起的刑事价格操纵指控正式认罪，合计缴纳7.31亿美元罚款，多名高管被判处监禁。

美光则因主动向监管部门举报该价格同盟并配合调查，最终免于处罚。诉状明确援引这一历史记录，试图向法庭呈现三家公司存在系统性、重复性串谋的行为模式。

2.3 美银报告与诉讼的逻辑关联

美银报告所揭示的产能扩张严重滞后，与诉讼的核心逻辑形成直接呼应：

• 被告方的核心抗辩逻辑可能是："传统DRAM供应减少并非人为串谋，而是产能客观受限、转向HBM是技术升级的必然结果，且新产能正在建设中，供给即将释放。"

• 美银报告的冲击在于：如果SK海力士至2028年的新增产能仅为原计划的六分之一，"新产能即将大规模入市"的市场叙事将难以成立。

• 这意味着三大厂商在诉讼中关于"供给受制于客观因素"的抗辩将面临更大压力。

从时间线来看，三星2025年6月停止DDR4接单、年底彻底停产出货，SK海力士将DDR4产能占比从2024年的30%砍至2025年底的20%、计划2026年全面停产——这些决策的时点高度同步，为原告提供了"协同行为"的佐证。

三、投资分析

3.1 产能约束=价格支撑，但需区分两条景气线

美银报告最大的分析贡献在于明确区分了HBM高端AI存储与传统利基DRAM两条独立的景气线，打破了市场"存储整体同质化"的认知。

HBM赛道：供需缺口持续扩大，三星、美光、SK海力士持续受益于AI算力资本开支。美银估算2026年HBM市场规模将达546亿美元，同比增长58%。

传统DRAM赛道：老旧DDR利基赛道供需极度紧缺，价格仍在快速上行。美银将2026年Q3 DRAM合约价环比涨幅从+17%上调至+21%。Jefferies的预测更为激进：预计Q3内存价格环比再涨40%-50%，Q4继续环比上行30%-40%，2027年全年价格同比仍将增长40%-45%，最早要到2028年才可能出现较为明显的放缓。

两条赛道的共同点：产能约束都在强化价格上行逻辑。SK海力士CEO已公开警告，2027年将是存储行业"有史以来最糟糕的一年"（指供应短缺最严重），短缺局面可能延续至2030年代。

3.2 诉讼风险：不可忽视的尾部风险

虽然集体诉讼的最终走向存在高度不确定性，但以下因素值得投资者警惕：

第一，历史前科削弱抗辩空间。 三家公司在2000年代已有认罪记录，诉状援引这一记录试图确立"行为模式"的连续性。若法院认定存在持续串谋，罚款金额可能远超历史水平。

第二，政治与监管环境变化。 2028年美国总统大选在即，反垄断执法力度可能因政权更迭而发生变化。无论诉讼走向如何，三家公司的法律成本和声誉损失都将是实实在在的。

第三，下游企业的反击。 包括联想在内的多家企业已公开表示内存高价将成为"新常态"。苹果据报可能利用长鑫存储（CXMT）的DRAM作为谈判筹码，以增强在与三大厂商合约价格谈判中的议价能力。若下游巨头集体施压，可能对定价体系产生影响。

3.3 市场情绪的"三重担忧"与美银的纠偏

美银在报告中逐一驳斥了近期市场上的三大忧虑：

市场担忧

美银的纠偏

Meta砍单传闻

供应链调研显示Meta及美国大科技公司芯片订单依然强劲

长鑫存储（CXMT）产能冲击

CXMT对高端市场影响微乎其微，按销售额计市占率仅为高个位数百分比

韩国建厂导致供给过剩

实际净增产能远低于名义扩产，2028年前新增产能释放极其有限

美银旗帜鲜明地指出，当前存储板块的回调是"短期情绪扰动"，市场对三星的抛售是"错误定价"。

四、总结和展望

美银此次报告的核心贡献在于两点：一是以详实的数据揭示了SK海力士乃至韩国整体存储产能扩张的严重滞后——2028年实际新增产能可能仅为原计划的六分之一；二是将这一供给侧的客观约束与DRAM价格操纵诉讼的逻辑形成了呼应。

对投资者的核心启示：

1. 产能约束是价格的"硬支撑" 。无论集体诉讼的最终结果如何，DRAM供给在2028年前大幅增加的可能性极低，这为存储芯片价格提供了坚实的基本面支撑。美银、Jefferies等主流机构预判DRAM供不应求至少延续至2028年二季度。

2. 诉讼风险是悬在头上的"达摩克利斯之剑" 。三家公司的寡头地位和历史前科使得诉讼的不确定性不容忽视。若法院做出不利裁决，可能引发巨额罚款、商业模式调整乃至股价重估。

3. "产能叙事"正在从利空转为利多。此前市场担心韩国政府800兆韩元的扩产计划将导致供给过剩、价格崩跌，美银报告揭示的现实是：这些产能远水不解近渴，短期内供给紧张格局难以改变。

4. 关注两条景气线的分化。HBM受益于AI算力资本开支的持续扩张，逻辑最为清晰；传统DRAM受益于产能极度紧缺带来的价格飙升，但同时也面临更大的诉讼风险敞口——因为诉讼恰恰指向传统DRAM的"人为短缺"。