天津
全球AI服务器需求持续爆发，直接带动了HBM、DDR5 DRAM及大容量NAND闪存的需求激增。
在这样的行业背景下，中国内存产业迎来了关键的发展窗口期，长鑫存储与长江存储两大巨头同步发力，开启了大规模扩产进程，双方合计投资高达630亿人民币采购半导体制造设备。
根据Citrini Research的分析及独家数据显示，若现有项目如期推进，长鑫存储到2026年底，DRAM晶圆月产能将达到约35万片，直逼全球三大内存原厂之一的美光。
按照美光自身的扩产计划，其2026年底DRAM晶圆月产能预估约为37.5万片，长鑫存储的产能已无限接近这一规模。
美光在内存领域深耕数十年，而长鑫存储作为后起之秀，仅用短短数年就实现了产能上的追赶，这一突破实属不易。
2025年，长鑫存储DRAM晶圆月产能为28万至29万片。2026年，其月产能再增加5万至6万片，实现跨越式增长，增速远超行业平均水平。
为支撑产能扩张，长鑫存储列入350亿至430亿元人民币的设备采购预算，全力推进扩产项目落地。
长鑫存储的亮眼表现，不仅体现在产能增速上，更体现在技术落地的效率上，无尘室建设速度尤为突出。
无尘室是DRAM芯片生产的核心区域，建设工艺复杂，行业普遍建设周期为21至24个月。
长鑫存储却将这一周期压缩至约12 个月，缩短近一年，这一效率在全球DRAM行业中十分罕见。
当然，长鑫存储的扩产之路并非一帆风顺，受美国制裁影响，其被列入黑名单，无法获取先进的 EUV光刻机。
这一限制曾被认为是制约中国内存企业发展的核心瓶颈，EUV技术是先进芯片制造的关键支撑。
但长鑫存储并未停滞，依靠成熟的DUV光刻设备结合多重曝光技术，成功克服了无EUV技术的瓶颈。
产能扩张的同时，长鑫存储的技术实力同步提升，产品矩阵不断丰富。
今年早些时候，长鑫存储已开始出货16Gb DDR5芯片，速率达到8000MT/s。
该芯片面积67平方毫米，存储密度0.239 Gb/平方毫米，性能出色，适配AI服务器的高性能需求。
这款芯片采用的G4 DRAM单元，比此前的G3代产品缩小 20%，体现了制程工艺的持续精进。
从23nm的G1代、18nm的G2代到如今的G4代，长鑫存储技术迭代节奏稳健，逐步缩小与国际巨头的差距。
此外，长鑫存储的24Gb DDR5模组已进入大规模量产阶段，速率约6000MT/s，可满足市场多样化需求。
针对AI领域的爆发式需求，其推出的LPDDR5X-10667 DRAM模组也已量产，拥有12G和16Gb两种规格。
AI需求的爆发，成为长鑫存储技术迭代和产能扩张的核心驱动力，让其产品精准对接行业核心需求。
目前，长江存储在武汉的两座晶圆厂合计月产能约15万片，三期扩产项目已进入设备安装与测试阶段。
按照规划，三期项目将于2026年下半年投入量产， 200亿元设备采购预算支撑下，满载总月产能将突破17万片。
目前中国半导体设备本土采购率约23.2%，仅长鑫存储 2026 年的设备采购，就能为国产设备供应链带来近100亿元新业务。
这将加速国产半导体设备的导入，推动中国半导体产业链自主化，实现芯片制造与设备配套的协同发展。
为缓解国内内存短缺，中国鼓励长鑫存储将DRAM技术知识产权（IP），转移给其他中国DRAM制造商。福建晋华（JHICC）、昇维旭（SwaySure）及长江存储子公司新芯（XMC）等其他制造商，将成为技术转移的受益方，此举可快速提升国内内存整体产能。
在满足国内需求的同时，长鑫存储等中国企业也在布局国际市场，待自主 DRAM 产品成熟后，将逐步开拓欧盟乃至美国市场。
这意味着中国内存产业将从 “满足内需”，逐步转向 “参与全球竞争”，在全球市场占据更重要的席位。
据国际半导体产业协会预测，全球半导体设备市场规模将从2024年的1166亿美元，增长至2027年的1556亿美元。
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