北京
国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“半导体器件的形成方法和半导体器件”的专利，公开号CN122373365A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，先形成晶圆，晶圆包括电极层和位于电极层上的掩模层，晶圆的正面为掩模层背离电极层一侧的表面。晶圆包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的外围，电极层在第一区域的厚度大于在第二区域的厚度，晶圆的第一区域朝向正面弯曲。形成曲度调控层，曲度调控层位于晶圆的正面和背面中的至少一者，以增加晶圆的弯曲度。最后对掩模层和部分电极层进行研磨。本申请通过形成曲度调控层，使晶圆的第一区域进一步朝向正面弯曲，这样在对正面进行研磨工艺时电极层在第一区域与研磨垫接触更充分，从而提高电极层在不同区域的厚度均一性。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1837.8385万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目5次，专利信息264条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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