北京
国家知识产权局信息显示，武汉四方创芯科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN122373343A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括堆叠结构、位线结构和字线结构，堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和介质层，位线结构沿堆叠结构的堆叠方向贯穿堆叠结构。字线结构位于相邻两层绝缘层之间，字线结构包括栅极层和字线，栅极层围绕位线结构的侧壁设置，字线沿第一方向延伸，字线与多个栅极层接触，第一方向与堆叠方向垂直。沟道层位于相邻两层绝缘层之间，沟道层位于字线结构与位线结构之间、以及字线结构与介质层之间。由于沟道层包覆栅极层的内侧和外侧，可以提升栅极层对沟道层的栅控能力，为半导体器件的高速读写提供结构基础。
天眼查资料显示，武汉四方创芯科技有限责任公司，成立于2024年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉四方创芯科技有限责任公司财产线索方面有商标信息3条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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