北京
据科技媒体Wccftech 7月7日报道，英特尔新近公开了一项XBM（eXtended Bandwidth Memory，超高带宽内存）专利技术。该专利描述了一种定位为HBM 4替代方案的堆叠式存储芯片，设计目标直指更高的带宽与容量，理论运行速度最高可达32 GT/s。
当前，HBM（高带宽内存）仍是AI服务器内存的主流选择。但从近两年行业动向看，为缓解供应短缺和功耗压力，部分企业已开始将LPDDR内存导入AI产品。在此节点，英特尔公布XBM专利并调整其DRAM策略，意图重返内存市场的信号颇为清晰，此前该公司还披露了ZAM（Z角内存）技术。
XBM的架构设计有几处差异化的思路。专利文件显示，它采用后段晶体管工艺，将晶体管移到BEOL（后端金属互连层），每层存储芯片依然沿用1T1C（单晶体管单电容）单元。此举能提升面积利用率和TSV（硅通孔）密度，相比传统前端晶体管的DRAM，带宽提升明显。在封装层面，XBM引入跨批次内存方案，尺寸与HBM 4保持一致，单颗芯片容量可在0.5GB至5GB之间浮动，速度上限达到32 GT/s。
不过，英特尔在高带宽内存领域的履历并不耀眼。此前研发的HMC（混合内存立方体）和MCDRAM（多通道动态随机访问内存）技术，均因为种种原因没能走向商业化。此次XBM虽然在速度与容量参数上让人眼前一亮，但专利文件中给出的预计商业化时间点落在2030年之后，而HBM产品已迭代至第四代，生态积累与量产成熟度明显占优。
冷静拆解来看，XBM在通过后段晶体管提升TSV密度这点上，确实拿出了有差异的工程方案，有望在带宽弹性上做出突破。但内存商业化的胜负手向来不止纸面参数——量产成本的控制、封装生态的搭建，以及代工厂的配合意愿，每一项都充满变数。对于英特尔而言，若想让XBM真正撼动HBM 4的位置，单靠一份专利还远不够，能否找到重量级合作伙伴并提前锁定先进封装产能，才是真正的试金石。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
