北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN122349228A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：沿第一方向延伸的第一行线；沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一列线；连接在第一行线和第一列线之间的第一存储单元；位于第一列线上方并沿第二方向延伸的第二列线；以及位于第一列线和第二列线之间的第一电阻图案。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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