东微半导申请氮化镓器件相关专利，氮化镓器件漏极经降压模块作用于场板

来源：新浪证券-红岸工作室

7月4日消息，国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“氮化镓器件”的专利。申请公布号为CN122340848A，申请号为CN202510008504.6，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2025年1月3日，发明人王鹏飞、刘伟、刘磊，专利代理机构北京品源专利代理有限公司，专利代理师严慧，分类号H10D30/47、H10D30/01、H10D64/00、H10D62/85。

专利摘要显示，本发明提供一种氮化镓器件，包括：基底层；位于所述基底层之上的沟道层；位于所述沟道层之上的势垒层；位于所述势垒层之上的栅极结构；分别位于所述势垒层两端的第一漏极和第二漏极；位于所述势垒层之上且位于所述第一漏极和所述栅极结构之间的第一表面钝化层，位于所述第一表面钝化层之上的第一场板；位于所述势垒层之上且位于所述第二漏极和所述栅极结构之间的第二表面钝化层，位于所述第二表面钝化层之上的第二场板；所述第一漏极通过第一降压模块作用于所述第二场板，所述第二漏极通过第二降压模块作用于所述第一场板。

东微半导成立于2008年9月12日，于2022年2月10日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为江苏省苏州市。该公司是国内高性能功率器件领域的领先企业，产品技术先进，在工业及汽车等中大功率应用市场具备明显竞争优势。

东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及IGBT概念、科创企业同股同权、转融券标的等概念板块。

2025年，东微半导实现营业收入12.53亿元，在行业18家公司中排名第10，远低于第一名*ST闻泰的312.53亿元和第二名士兰微的130.52亿元，行业平均数为39.84亿元，中位数为13亿元。主营业务中，功率半导体产品收入11.93亿元，占比95.26%；晶圆收入5916.09万元，占比4.72%；其他(补充)收入26.08万元，占比0.02%。净利润方面，2025年为3380.77万元，行业排名12/18，与第一名扬杰科技的12.45亿元和第二名捷捷微电的4.76亿元差距较大，行业平均数为 - 3.38亿元，中位数为5933.85万元。

苏州东微半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种功率半导体模块发明专利实质审查的生效、公布CN202610204670.82026-02-12CN122121710A2026-05-29张航宇、袁伟、汤乐2一种IGBT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510964353.12025-07-14CN120857530A2025-10-28刘伟、林敏之3IGBT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510964367.32025-07-14CN120857531A2025-10-28刘伟、林敏之4半导体器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510451624.32025-04-11CN120282464A2025-07-08刘伟、王鹏飞、陈鑫5氮化镓器件发明专利公布CN202510008504.62025-01-03CN122340848A2026-07-03王鹏飞、刘伟、刘磊6氮化镓器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411808056.X2024-12-10CN122205905A2026-06-12王鹏飞、刘伟、刘磊7氮化镓器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411806778.12024-12-10CN122205894A2026-06-12刘伟、王鹏飞、刘磊8一种氮化镓器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411606016.72024-11-12CN122028458A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟9一种氮化镓器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411606015.22024-11-12CN122028457A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟10一种氮化镓器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411606391.12024-11-12CN122028447A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟11一种氮化镓器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411606018.62024-11-12CN122028459A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟12一种IGBT器件的制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411371344.32024-09-29CN119230399B2025-03-11刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊13IGBT器件的制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411371340.52024-09-29CN119230398B2025-05-23刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊14IGBT器件的制造方法发明专利授权、公布CN202411371352.82024-09-29CN119230400B2025-10-17刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊15半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411330233.82024-09-24CN121240495A2025-12-30王鹏飞、缪进征、王睿、袁愿林16一种IGBT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410911946.72024-07-09CN118866946A2024-10-29王鹏飞、林敏之17碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410120811.92024-01-29CN120435042A2025-08-05王鹏飞、范让萱18一种IGBT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311106025.52023-08-30CN119562568A2025-03-04刘磊、王鹏飞19一种IGBT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311105888.02023-08-30CN119562567A2025-03-04刘磊、王鹏飞20碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310715907.52023-06-16CN119153497A2024-12-17王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征21碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310715908.X2023-06-16CN119153498A2024-12-17王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征22碳化硅器件及其制造方法发明专利公布CN202310367493.12023-04-07CN118782646A2024-10-15刘磊、王鹏飞23半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202211651724.32022-12-21CN118231464A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿24半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202211649969.22022-12-21CN118231446A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿25半导体功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202211652272.02022-12-21CN118231465A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿26半导体功率器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211271548.02022-10-18CN117954490A2024-04-30王鹏飞、毛振东、范让萱27半导体超结功率器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211271803.12022-10-18CN117954491A2024-04-30王鹏飞、袁愿林、王睿、刘磊、缪进征28氮化镓器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210960844.52022-08-11CN117637832A2024-03-01王鹏飞、林敏之、刘磊29半导体功率器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210544438.02022-05-18CN117133643A2023-11-28缪进征、王鹏飞、范让萱30氮化镓HEMT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210551950.82022-05-18CN117133794A2023-11-28王鹏飞、林敏之、刘磊31半导体功率器件及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布CN202210539346.32022-05-17CN117116976A2023-11-24王鹏飞、毛振东、范让萱32半导体功率器件的制造方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202210539330.22022-05-17CN117116748A2023-11-24王鹏飞、毛振东、范让萱33IGBT器件的制造方法发明专利授权、公布CN202210367143.02022-04-08CN116936357B2025-10-03刘伟、王鹏飞、刘磊、龚轶34IGBT器件及其制造方法发明专利授权CN202210366889.X2022-04-08CN116936626B2025-11-28范让萱、缪进征、王鹏飞、刘磊、龚轶35半导体二极管及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210363432.32022-04-07CN116936603A2023-10-24王鹏飞、王睿、林敏之、刘磊、龚轶36半导体功率器件实用新型授权CN202220614408.82022-03-21CN217037151U2022-07-22王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿37碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210280761.12022-03-21CN116825828A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞38碳化硅器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210282247.12022-03-21CN116825621A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞39半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202210281110.42022-03-21CN116825829A2023-09-29王鹏飞、刘磊、袁愿林、王睿40半导体功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202210279749.92022-03-21CN116827322A2023-09-29王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿41碳化硅二极管及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布CN202210276766.72022-03-21CN116825803A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞42碳化硅器件终端结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210281170.62022-03-21CN116825804A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞43半导体二极管发明专利授权CN202111611956.12021-12-27CN116364748B2026-04-03刘磊、刘伟、袁愿林、王睿44IGBT器件及其制造方法发明专利授权CN202111576883.72021-12-22CN116344573B2026-04-07林敏之、刘伟、刘磊、袁愿林45IGBT器件发明专利授权、公布CN202111561080.42021-12-15CN116264244B2024-12-24刘伟、林敏之、袁愿林、王睿46IGBT器件发明专利授权、公布CN202111534459.62021-12-15CN116264242B2025-09-12林敏之、刘磊、刘伟、袁愿林47半导体功率器件实用新型授权CN202122841877.12021-11-19CN216250731U2022-04-08龚轶、刘磊、刘伟、袁愿林48半导体超结功率器件发明专利授权、公布CN202111359635.72021-11-17CN116137283B2025-09-12刘伟、刘磊、袁愿林、王睿49半导体超结功率器件发明专利授权CN202111359722.22021-11-17CN116137289B2026-02-06刘磊、刘伟、袁愿林、王睿50半导体超结功率器件发明专利授权CN202111359631.92021-11-17CN116137282B2026-02-27刘伟、刘磊、袁愿林、王睿