北京
分享至
国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“用于存储器装置的缺陷检测方法”的专利，公开号CN122337285A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种用于存储器装置的缺陷检测方法。存储器装置包括存储器阵列。存储器阵列依据参考电压来进行存取操作。缺陷检测方法包括：将存储器阵列区分为多个存储器区块；调整参考电压的电压值以依序对所述多个存储器区块进行存取操作，并接收所述多个存储器区块在存取操作后的多个缺陷计数；以及依据所述多个缺陷计数来判断这些存储器区块的缺陷类型。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
