北京
国家知识产权局信息显示，山东精久科技有限公司取得一项名为“一种具有高可靠性的碳化硅MOSFET半桥驱动电路”的专利，授权公告号CN224459647U，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种具有高可靠性的碳化硅MOSFET半桥驱动电路，涉及工业和汽车驱动电路技术领域，包括：隔离电路及双路VGS正压/负压生成电路，所述隔离电路电性连接所述双路VGS正压/负压生成电路；所述隔离电路包括高速光耦PHT1及高速光耦PHT2；所述高速光耦PHT1的引脚1电性连接电阻R12、电容C17及电阻R1的一端，所述高速光耦PHT1的引脚3电性连接电阻R10的一端。本实用新型要解决的技术问题是提供一种具有高可靠性的碳化硅MOSFET半桥驱动电路，主要是解决碳化硅MOSFET的VGS控制电压可调的问题，采用分立元器件，体积较小，散热更好。
天眼查资料显示，山东精久科技有限公司，成立于2000年，位于济南市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东精久科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可1个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
