北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“优化晶圆边缘缺陷的方法、系统、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN122341175A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种优化晶圆边缘缺陷的方法、系统、电子设备及存储介质。该方法包括：在刻蚀腔体内部件安装完成后，利用光学扫描系统对静电吸盘和边缘环表面进行扫描；根据扫描获取的数据，计算静电吸盘与边缘环之间的缝隙宽度；根据缝隙宽度识别缝隙偏窄位置，并对缝隙偏窄位置进行调整，直至缝隙宽度均匀。本发明通过引入光学扫描和精确计算，精密控制静电吸盘和边缘环的缝隙，避免出现微小缝隙导致刻蚀副产物累积，从而有效解决偏心导致的缺陷问题，提升晶圆边缘良率。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2089次，专利信息2805条，此外企业还拥有行政许可544个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
