湖北
2026年7月2日，闪迪（Sandisk）官宣，旗下第十代3D NAND闪存产品——BiCS10 1Tb TLC闪存芯片，已正式面向产业链上下游客户完成工程样品交付。
BiCS10 1Tb TLC闪存依托闪迪久经市场验证的Bit-Cost Scalable（BiCS）堆叠3D NAND基础架构，搭配CMOS直接键合阵列（CBA）核心工艺研发成型。搭载新一代横向微缩制程技术，最终实现突破29Gb/mm²的超高单位面积存储密度，比特存储密度较上一代BiCS8产品提升59%。
在传输性能层面，该芯片原生支持最高4.8Gb/s的NAND总线接口速率，相较当前大规模商用落地的第八代BiCS8 3D NAND闪存，综合接口传输性能提升33%。
在核心能效指标上，BiCS10架构完成了I/O功耗模型的专项优化，大幅优化闪存读写全链路能耗管控能力。对比同规格BiCS8闪存芯片，该新品数据写入输入功耗降低10%，数据读出输出功耗降幅高达34%。
BiCS10 TLC的四大核心技术亮点：
1、超高速总线接口
原生支持最高4.8Gb/s NAND接口传输速率，相比量产版BiCS8闪存综合性能提升33%，满足高并发突发读写需求。
2、行业顶尖存储密度
搭载332层垂直堆叠存储单元，配合芯片级版图布局优化设计，单位面积比特密度涨幅达59%，峰值突破29Gb/mm²。
3、全域优化能效比
重构芯片读写能耗链路，标准化测试工况下，数据输入功耗下降10%、数据输出功耗下降34%，大幅降低数据中心整机散热与供电成本。
4、全链路先进协议兼容
原生适配Toggle DDR 6.0、SCA存储控制协议、PI-LTT低时延传输技术，实现高带宽吞吐与低功耗运行的最优平衡。
总的来看，从行业发展维度来看，BiCS10闪存芯片顺利送样，补齐了AI底层基础设施高密低耗存储的硬件短板。未来，随着该工艺芯片进入规模化量产阶段，将为高端企业级固态硬盘、AI算力集群存储底座、超算中心高性能存储阵列提供核心硬件支撑。
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