北京
国家知识产权局信息显示，浙江六方半导体科技有限公司申请一项名为“一种高热导率多晶碳化硅晶圆的加工处理方法”的专利，公开号CN122318829A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明涉及一种高热导率多晶碳化硅晶圆的加工处理方法，包括以下步骤：对CVD制备的多晶碳化硅晶圆进行研磨及减薄，得到预处理后晶圆；采用皮秒激光对预处理后晶圆表面进行全覆盖烧蚀处理，形成具有非晶化表面改性层的改性后晶圆；对改性后晶圆进行抛光及清洗，得到成品晶圆。本方案在CMP前道引入皮秒激光对多晶SiC晶圆片进行激光烧蚀和表面改性，改性后再通过CMP进行粗抛和精抛，结果CMP缩时40%以上，显著提高了CMP效率，降低了成本，且最终能达到表面粗糙度要达到0.2nm，实现亚纳米级粗糙度与无亚表面损伤要求。
天眼查资料显示，浙江六方半导体科技有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本1621.844118万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江六方半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息86条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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