晶合集成申请金属层测试相关专利，提供金属层等测试结构及测试方法

来源：新浪证券-红岸工作室

7月1日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“金属层测试结构、半导体测试结构及测试方法”的专利。申请公布号为CN122318822A，申请号为CN202610434141.7，申请公布日期为2026年6月30日，申请日期为2026年4月3日，发明人李宁、冯玲、陈依柏、段丹阳、闻磊，专利代理机构重庆乐泰知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师刘念芝，分类号H10P74/00、G01R31/26、H10P74/20。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种金属层测试结构、半导体测试结构及测试方法。所述金属层测试结构包括下层结构层，其具有密集图形区及稀疏图形区，所述密集图形区或稀疏图形区设置有测试金属线，所述测试金属线的第一端位于稀疏图形区；上层金属互连层，所述上层金属互连层设置有与所述测试金属线的第一端连接的第一测试连接孔以及与测试金属线的第二端连接的第二测试连接孔；所述上层金属互连层还设置有与所述第一测试连接孔连接的第一导线以及与第二测试连接孔连接的第二导线。所述半导体测试结构包括衬底、栅极结构及上述金属层测试结构。所述测试方法包括以下步骤：构建测试通路、施加测试电压并监测电阻以及判断连接孔状态。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内领先的12英寸晶圆代工企业，专注代工服务，具备先进工艺技术优势。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及MCU概念、汽车芯片、半导体等概念板块。

2025年，晶合集成营业收入108.85亿元，行业排名4/7，与第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹宏力的172.91亿元有差距，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。主营业务中，集成电路晶圆制造代工103.57亿元，占比95.14%。净利润4.66亿元，行业排名4/7，与第一名中芯国际的72.09亿元、第二名赛微电子的13.88亿元相比有距离，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种半导体结构的制造方法发明专利公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮2干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强3MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然4半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧5晶圆清洗方法发明专利公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平6半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪7栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先8半导体器件的外延层结构形成方法发明专利公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕9安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小10图像传感器及其制作方法发明专利公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛11接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕12半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕13半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞14一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩15集成功率器件及其制备方法发明专利公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全16一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平17检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬18LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧19一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳20一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏21半导体版图结构及双栅氧化层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强22一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏23芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬24半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春25一种半导体器件的测试方法及测试装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲26光阻层的形成方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明27半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚28半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露29用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟30OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙31一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜32深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉33一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾34降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽35半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛36半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤37静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁38一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞39一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞40一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷41一种接触孔及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳42半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞43半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕44半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕45一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊46半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕47光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙48电性测试结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼49伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春50一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃