韩国存储双雄开启千亿美元级别产能扩张狂潮! 半导体设备站上AI算力短缺超级风口

智通财经APP获悉，据韩国媒体最新报道，全球存储芯片两大超级霸主——即韩国存储双雄三星电子与SK海力士正准备在下周一宣布价值数千亿美元的新一轮投资以大幅扩张HBM/DRAM/NAND存储芯片产能以及新建设大型数据中心或产业园区。

此外，另一存储芯片原厂——即来自美国的存储芯片巨头美光周四公布的最新财报显示，该公司将2026财年资本开支计划上调50亿美元至创纪录的250亿美元规模，这些存储巨头最新扩张迹象可谓凸显出，阿斯麦、泛林、应用材料等半导体设备巨头们正进入由AI芯片与存储芯片大规模扩产驱动的新一轮超级增长周期。

从扩产工程逻辑来看，阿斯麦EUV/DUV光刻机绝非普通等级的半导体设备，而是先进逻辑芯片、AI加速器、HBM相关的高端DRAM制程继续缩微和提升良率的瓶颈工具;此外，AI芯片短缺、HBM/DRAM紧张、NAND需求结构性抬升，本质上都指向同类型的AI算力基础设施供给瓶颈与约束：先进算力不是只长期缺乏GPU/TPU，而是缺晶圆产能、先进芯片制程与先进封装产能、存储芯片产能巨大缺口之下的刻蚀/沉积/量测控制/先进封装设备和光刻吞吐能力;与此同时，华尔街分析师们认为这种供给瓶颈正在把半导体设备链从“周期复苏交易”重新定价为“AI算力资本开支超级周期交易”。

韩国《每日经济新闻》周五报道称，三星集团将公布未来十年规模达1000万亿韩元(大约6460亿美元)的史无前例支出计划;其中包括可能斥资300万亿韩元在韩国西南部建设芯片工厂。这将成为韩国历史上规模最大的此类支出计划。报道称，三星和SK海力士的高层预计将于下周初出席在韩国青瓦台举行的总统简报会。三星和SK海力士是韩国市值最高的两家公司，也是全球领先的存储芯片制造巨头。

韩国存储芯片双雄筹备史上最大规模支出

青瓦台一名高级发言人当地时间周四表示，韩国总统李在明将于周一主持“关于大韩民国实现伟大跃升的三大超级项目国家简报会”，并补充称更多细节将在当天公布。在该活动筹备期间，《每日经济新闻》和其他韩国传统报纸报道称，这两大存储芯片巨头的高管们已与总统会面，讨论史无前例的韩国本土投资计划。

韩国总统政策室长Kim Yong-beom表示，当总统于6月29日主持会议并且讨论大型企业投资计划时，将公布“非常不同寻常”的数字。Kim周五在一档YouTube节目接受采访时表示，该活动将聚焦半导体产能、AI数据中心建设进程和物理AI等关键前沿技术领域。

总部位于首尔的Eugene Asset Management首席投资官Ha SeokKeun表示：“总体而言，我们认为这是非常积极的。”“更大规模的AI算力基础设施相关联投资以及半导体制造设备投资应会改善AI基建最核心的AI芯片、存储芯片以及更广泛AI算力基础设施相关产业链的长期需求能见度。”

三星和SK海力士代表拒绝对这些报道发表评论。

总部位于韩国利川的SK海力士已暗示计划投入巨额资金以全面扩大HBM/DRAM/NAND存储芯片产能，并竭尽全力满足全球人工智能行业和更广泛科技行业在AI基建大浪潮之下对存储芯片的爆炸式需求。该公司计划在美国股票市场上市融资290亿美元，此前SK集团董事长崔泰源本月早些时候表示，他打算在未来五年将存储芯片产能翻倍。

崔泰源6月在中国台北2026年Computex大会对记者表示，该存储原厂正在应对可能持续到2030年的存储芯片持续严重短缺。尽管SK海力士打算显著增加投资以扩大HBM/DRAM/NAND存储芯片产能，但崔泰源没有披露公司计划支出多少资金。

总部位于水原的三星与SK海力士一样，在近几个季度因存储芯片需求蓬勃增长而公布创纪录的销售额和营业利润数据，同时还表现出在全球AI算力基础设施领域发挥更大作用的产能扩张兴趣——比如欲挑战台积电在先进制程AI芯片代工领域堪称垄断的代工地位。《每日经济新闻》报道称，执行董事长李在镕预计将在7月2日公布位于忠清南道牙山的数据中心大规模投资计划。

SK海力士与三星电子(Samsung Electronics)以及总部位于美国的美光科技(MU.US)一道，三方势力共同主导着全球存储芯片市场供需格局，并且一直是人工智能训练/推理算力需求指数级扩张驱动的数据中心建设繁荣的最主要受益群体。这两大韩国存储芯片巨头都将英伟达(NVDA.US)列为其最大规模客户之一。

GPU/TPU/AI ASIC负责处理transformer矩阵乘法工作负载并生成智能，HBM/DRAM负责高速喂数，企业级NAND/eSSD负责热数据与缓存，而HDD负责天量级别的冷/温数据的长期留存，因此高盛等华尔街金融巨头们认为云计算巨头们主导的AI算力军备竞赛正在把存储芯片从周期品推成稀缺战略资产，2026年DRAM/NAND涨价不是尾声，而可能是超级周期的初步阶段。

紧随三星电子进入万亿美元市值俱乐部之后，韩国另一存储芯片巨头SK海力士总市值近日也突破1万亿美元，并与三星电子共同大举推动韩国股票市场基准股指——KOSPI综合指数屡创新高，背后核心正是AI训练/推理驱动的近乎无止境HBM/DRAM/NAND存储需求和存储芯片涨价预期。在全球最大规模的两大存储芯片制造巨头三星电子和SK海力士股价涨势如虹般牛市轨迹的推动下，韩国基准股指Kospi指数今年还不到6个月就已翻倍，相比之下2025年全年近80%涨幅甚至显得渺小。

AI芯片与存储双引擎点火，半导体设备迈向超级周期！阿斯麦、应用材料、科磊与泛林站上AI算力短缺风暴眼

对半导体设备厂商们而言，存储芯片扩产不是简单多建几条生产线，而是斥巨资新建更多数量洁净室，以及HBM、先进DRAM、企业级SSD、3D NAND和先进封装需求共同拉动对于光刻、刻蚀、沉积、量测、材料工程和先进封装设备的史无前例强劲需求。

华尔街金融巨头富国银行最新发布的研究报告显示，受益于3nm、2nm 乃至更先进芯片制程产能扩张以及CoWoS/3D先进封装产能、DRAM/NAND存储芯片产能扩张大举加速，半导体设备板块的长期牛市逻辑可谓越来越坚挺。富国银行表示，包括阿斯麦(ASML.US)、应用材料(AMAT.US)、泛林(LRCX.US)以及科磊(KLAC.US)在内的全球半导体设备制造商们第二季度业绩将继续表现积极，同时将其对于2027年晶圆厂整体设备支出的预期从此前约1800亿美元上调至约1900亿美元。

在看好半导体板块股价与基本面前景的分析师们看来，任何有关台积电、三星等芯片制造商们产能扩张的动态，对于覆盖EUV光刻机的阿斯麦以及聚焦刻蚀、薄膜沉积与CMP等先进制程工艺以及聚焦2.5D/3D先进封装的半导体设备巨头们而言都是积极催化剂。

阿斯麦受益于先进DRAM/EUV层数增加与逻辑制程扩张;泛林受益于HBM、DRAM和3D NAND中的高深宽比刻蚀/沉积与堆叠复杂度提升;应用材料则受益于DRAM、先进封装、材料工程和AI芯片需求扩张带来的多种定制化类型先进制程设备需求。

阿斯麦、应用材料、泛林集团和科磊，为富国银行与花旗都看好的半导体设备巨头。在芯片厂，应用材料身影可谓无处不在。不同于阿斯麦始终专注于光刻领域， Lam Research(泛林)重心更偏向刻蚀、清洗、图形化与关键薄膜制程，尤其集中在3D NAND存储所需的高深宽比(HAR)刻蚀/沉积与相关工艺能力，应用材料提供的高端设备在制造芯片的几乎每一个步骤中发挥重要作用，其产品涵盖原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、快速热处理(RTP)、CMP、晶圆刻蚀、离子注入等重要造芯环节。

相比于阿斯麦和应用材料，科磊则聚焦于检测环节。特别是在芯片制造的化学过程控制和芯片良率监测领域，其在宽带等离子光学检查技术和最新的芯片缺陷同步精细化检查系统方面的突破，为半导体制造商提供了更强大的工具来提升生产效率和产品质量。其先进的技术和设备在行业中占据了重要地位，广泛应用于各种半导体制造过程。

另一华尔街巨头花旗表示，在乐观情景下预计全球WFE市场规模将从2026年的约1450亿美元升至2027年的2000亿美元、2028年的2500亿美元，并将该机构对于应用材料的目标股价从550美元大幅上调至710美元，对于泛林的目标价格从315美元上调至450美元、对于科磊目标股价从206美元上调至290美元。

与此同时，Anthropic引领的AI智能体浪潮驱动的多步骤推理会急剧放大KV cache与中间状态存储需求，当高成本HBM和DRAM无法经济承接全部内存需求时，NAND、XL-Flash、高性能存储层和相关制程设备需求会被系统性抬升，这也是AMAT、LRCX、KLAC被花旗上调目标价的关键逻辑。