北京
国家知识产权局信息显示，达波科技（上海）有限公司申请一项名为“一种同时获得超薄铌酸锂压电单晶片和异质薄膜键合衬底的制备工艺”的专利，公开号CN122270032A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请公开了一种同时获得超薄铌酸锂压电单晶片和异质薄膜键合衬底的制备工艺，属于半导体晶圆制备技术领域。包括下述步骤：（1）对旋转切向的铌酸锂晶圆进行离子注入，离子注入剂量自晶圆中心向外逐渐升高；对基底晶圆进行预退火处理；（2）对步骤（1）得到的铌酸锂晶圆的离子注入面和基底晶圆进行活化并键合得到键合体；（3）对键合体的铌酸锂晶圆进行两步减薄工艺减薄至铌酸锂晶圆厚度为40‑200μm；（4）对步骤（3）减薄后的键合体进行退火处理，得到超薄铌酸锂压电单晶片和异质薄膜键合衬底。该工艺对基底晶圆和铌酸锂晶圆的处理，可同步获得无损超薄铌酸锂压电单晶片和异质薄膜键合衬底，满足当下对于超薄铌酸锂压电单晶片的需求。
天眼查资料显示，达波科技（上海）有限公司，成立于2024年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，达波科技（上海）有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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