北京
国家知识产权局信息显示，济南晶正电子科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122270052A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法，涉及集成光子器件技术领域。半导体结构包括硅衬底层；铌酸锂薄膜层，沿第一方向形成在硅衬底层的一侧；应力补偿层，应力补偿层沿第一方向形成在硅衬底层和铌酸锂薄膜层之间，应力补偿层用于部分或全部抵消硅衬底层和铌酸锂薄膜层的残余内应力。通过在硅衬底层和铌酸锂薄膜层之间引入具有预设初始内应力的应力补偿层，调控层叠结构中性轴位置与等效弯曲刚度，能够实现退火阶段的等效弯矩抵消，进而减小或消除得到的铌酸锂薄膜‑硅衬底复合结构的残余内应力，能改善铌酸锂薄膜‑硅衬底复合结构出现翘曲的情况、改善铌酸锂出现晶格畸变的情况，从而能提高铌酸锂薄膜‑硅衬底复合结构的良率。
天眼查资料显示，济南晶正电子科技有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3229.1409万人民币。通过天眼查大数据分析，济南晶正电子科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可26个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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