北京
国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种微纳结构氮化物外延片、发光器件芯片及制备方法”的专利，公开号CN122248863A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种微纳结构氮化物外延片、发光器件芯片及制备方法，该微纳结构氮化物外延片包括依次设置的衬底、n型氮化物层、氮化物扩散层、n型氮化物结构层、氮化物发光层和p型氮化物层；n型氮化物结构层包括间隔分布的纳米柱间隔单元以及设置于纳米柱间隔单元之间的n型氮化物图形结构。纳米柱间隔单元的设置起到了分隔氮化物发光层的作用，使氮化物发光层为纳米结构，不仅降低了发光层的应力，提高了外延层的组分并入和均匀性，还能够利用量子尺寸限制效应降低QCSE，提高电子和空穴的辐射复合效率，降低侧壁损伤造成的载流子捕获效应，从而提高微纳结构氮化物外延片的发光效率和亮度，降低发光波长的半峰宽，提高显示应用的色纯度。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息419条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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