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“这太令人痛苦了，是个沉重的打击。”
行业领军企业台积电决定退出氮化镓代工业务的消息震惊了整个行业。其中，罗姆半导体的举动尤其引人关注。台积电做出决定后，罗姆半导体总裁东克己坦诚地承认了这一决定带来的巨大影响。
ROHM自早期便致力于GaN功率器件的研发，并于2022年3月在其滨松工厂建立了150V耐压GaN HEMT的量产体系。同时，针对服务器电源和电动汽车（EV）等市场对650V产品日益增长的需求，ROHM主要通过与台积电（TSMC）的合作，建立了量产体系。此后，两家公司进一步深化合作，并于2024年12月宣布建立战略合作伙伴关系，共同开发和量产汽车级GaN器件。
正当双方加强合作关系，以期迎接氮化镓市场的全面增长之际，台积电宣布退出氮化镓代工业务的消息却突然传来。当时，东克己表示：“我们的工程师已经前往台积电的工厂，将台积电的技术与我们此前积累的经验相结合，所以这对我们来说是一个巨大的打击。”
随后，在2026年2月，罗姆半导体宣布计划从台积电获得氮化镓工艺技术授权，并过渡到自主生产。据介绍，罗姆半导体计划在其滨松工厂（滨松市）新建一条8英寸生产线并开始投产。他们还表示，如果市场需求激增，计划将部分生产外包给VIS公司。虽然投产日期将取决于工厂的筹备进度，但他们正在加紧推进，以尽可能减少台积电撤出后的影响。
罗姆还设定了到 2027 年建立生产系统的目标。该计划包括从台积电转移技术，建立一条 8 英寸生产线，并在不到两年的时间内实现量产——这是一个雄心勃勃的计划。
该计划旨在将台积电目前正在量产的氮化镓晶圆工艺直接转移至滨松，而不做任何根本性改动，从而最大限度地减少客户进行必要修改和重新评估的负担。然而，仅仅获得工艺技术授权并不意味着能够在量产中实现相同的质量和良率。尤其是在滨松复制台积电已建立的量产技术方面，仍面临诸多挑战，包括对产品特性和可靠性影响显著的外延生长，以及8英寸生产线的搭建。
与爱思强合作，扩大内部氮化镓产能
日前，爱思强宣布与罗姆半导体建立生产合作伙伴关系。罗姆半导体选择爱思强的G10-GaN沉积系统，在其位于日本滨松的工厂建立内部GaN外延生产线。该系统目前正在进行产能爬坡，以批量生产用于650V和100V功率器件平台的8英寸GaN外延晶圆。
罗姆半导体的EcoGaN产品系列——包括用于服务器电源、车载充电器和DC-DC转换器的650V GaN HEMT——旨在满足人工智能数据中心基础设施和电动汽车动力系统等高增长应用的需求。罗姆半导体的100V产品线则瞄准了人工智能加速器和基于GPU的计算平台中对高效电压调节模块（VRM）日益增长的需求，这些应用对功率密度、效率和散热管理有着关键要求。
此前，罗姆半导体一直依赖外部代工厂生产其650V氮化镓器件。通过将氮化镓外延工艺纳入公司内部，罗姆半导体在更好地掌控器件制造流程的关键环节方面迈出了重要一步。在滨松工厂安装艾克斯通公司的G10-GaN系统，有助于罗姆半导体向垂直整合转型，并提升其为下一代功率半导体应用扩大生产规模的能力。
罗姆半导体执行官滨泽康表示：“艾克斯通的G10-GaN系统完美融合了成熟的技术、可扩展性和合作模式，正是罗姆在GaN功率器件领域保持领先地位所需要的。艾克斯通不仅拥有世界领先的外延生长技术并持续进行研发，还积极与我们合作，共同优化工艺流程并制定长期发展路线图。此次合作将有助于提升我们的产品竞争力，并满足人工智能和汽车客户日益严苛的性能要求。”
Aixtron首席执行官Felix Grawert表示：“Rohm决定在我们G10-GaN平台上进行GaN外延生长，这反映了领先器件制造商在保障其化合物半导体供应链方面发生的重大转变。我们与Rohm的合作将Aixtron的工艺专长与Rohm成熟的器件技术相结合——我们将共同加速GaN功率电子器件的主流应用。”
（来源：编译自eetjp ）
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