北京
上周有报道称，SK海力士正在准备大规模扩张DRAM产能。根据SK海力士与主要供应商分享计划，大概到2030年至2031年前后，SK海力士将DRAM产能提升至几乎当前（每月约55万片晶圆）翻倍的水平，其中也包含了在无锡的产能（每月约20万片晶圆）。
据TrendForce报道，近日SK集团董事长崔泰源表态，称现在目标是到2034年整体晶圆产能提升至目前的三倍。崔泰源表示，SK海力士的产能扩张时间线已经提前了大约十年，需求增长如此之快，即便产能再加速也可能会失效。
SK海力士的扩建工程主要集中在韩国京畿道龙仁市的龙仁半导体集群，这是一个超大型半导体制造园区，首座晶圆厂计划2027年初投产。预计到2030年上半年能每月增加36万片晶圆，增强SK海力士对客户需求的响应能力。另外一项扩建工程位于韩国忠清北道清州市的M15X，计划2026年下半年开始运营，初始产能为每月4万片晶圆，到2027年将进一步提升至8万片。
另外有消息指出，SK海力士正在准备年底前开始NAND闪存的量产工作，目前已完成验证工作。一开始SK海力士打算提供超过400层的NAND闪存，但是受制于设备的制造难度问题，后来修订为375层，长期规划则是480层和604层。值得注意的是，SK海力士还在375层结构上做出了关键设计调整，以钼（Mo）部分替代了之前使用的钨（W）作为字线金属栅极材料。
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