北京
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国家知识产权局信息显示，南昌大学、南昌实验室、南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种PFC电路中氮化镓功率器件的雷击浪涌保护电路”的专利，公开号CN122178698A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种PFC电路中氮化镓功率器件的雷击浪涌保护电路，旨在解决氮化镓功率器件自身抗浪涌能力不足、现有浪涌保护方案残压高易造成氮化镓功率器件过压击穿的问题。在整流电路与PFC主电路之间设置浪涌抑制单元，浪涌抑制单元采用含第一线圈L2A、第二线圈L2B的共模电感与压敏电阻VR4串联耦合结构，搭配电容C1、C2构成π型滤波。正常工况下其实现电压滤波功能，雷击浪涌时，VR4击穿使L2A中产生浪涌电流，第二线圈L2B耦合产生反向电动势抵消浪涌电压，降低PFC主电路输入端残压；一级保护单元辅助抑制浪涌，PFC主电路采用Boost拓扑和氮化镓功率器件。本电路结构简单、成本低、可靠性高，适用于LED路灯等室外氮化镓电源的浪涌保护。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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