北京
国家知识产权局信息显示，上海烨映微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种高可靠性硅电容的制作方法”的专利，公开号CN122121173A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种高可靠性硅电容的制作方法，包括如下步骤：对硅衬底进行深槽刻蚀；将介质层沉积在所述深槽表面及深槽以外的硅衬底表面；将多晶硅填充在所述深槽内及深槽以外的硅衬底表面；采用CMP工艺去除表面的介质层和多晶硅；在表面沉积一层厚度不小于0.5μm的氧化硅；进行通孔刻蚀；在表面沉积一层金属层作为上电极；在所述硅衬底底部沉积一层金属层作为下电极。本发明通过CMP工艺将所有平面部分介质和poly层磨平，再沉积一层厚氧化硅，可显著提高硅电容的寿命，在同等工况条件下可显著提高工作电压，增强可靠性，减少poly刻蚀步骤，节约掩模板，减少光刻，节省成本。
天眼查资料显示，上海烨映微电子科技股份有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本3373.6759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海烨映微电子科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息44条，专利信息71条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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