北京
国家知识产权局信息显示，西安龙威半导体有限公司申请一项名为“一种提升SJ器件性能的外延方法”的专利，公开号CN122121241A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提升SJ器件性能的外延方法，属于半导体制造技术领域，包括：进行温场校准，得到温场校准后的晶圆温场分布；根据待处理晶圆的离子注入量及注入窗口得到估计的P/N柱宽度，根据估计的P/N柱宽度得到热预算；根据热预算确定热处理时间和外延沉积时间；根据热处理时间对待处理晶圆在特定温场分布下进行热处理，得到热处理后的晶圆；根据辅助掺杂管路、晶圆温场分布和外延沉积时间对热处理后的晶圆进行外延生长，得到外延后的晶圆。本发明可实现同晶圆内SJ Mos BV和Ron差异性变小，并一定程度提高BV，且由于严格的温场控制，滑移线发生的概率极低，提升了器件整体的良率。
天眼查资料显示，西安龙威半导体有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本66068.167985万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙威半导体有限公司参与招投标项目22次，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可24个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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