国家知识产权局信息显示,西安龙威半导体有限公司申请一项名为“一种提升SJ器件性能的外延方法”的专利,公开号CN122121241A,申请日期为2026年2月。
专利摘要显示,本发明公开了一种提升SJ器件性能的外延方法,属于半导体制造技术领域,包括:进行温场校准,得到温场校准后的晶圆温场分布;根据待处理晶圆的离子注入量及注入窗口得到估计的P/N柱宽度,根据估计的P/N柱宽度得到热预算;根据热预算确定热处理时间和外延沉积时间;根据热处理时间对待处理晶圆在特定温场分布下进行热处理,得到热处理后的晶圆;根据辅助掺杂管路、晶圆温场分布和外延沉积时间对热处理后的晶圆进行外延生长,得到外延后的晶圆。本发明可实现同晶圆内SJ Mos BV和Ron差异性变小,并一定程度提高BV,且由于严格的温场控制,滑移线发生的概率极低,提升了器件整体的良率。
天眼查资料显示,西安龙威半导体有限公司,成立于2018年,位于西安市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本66068.167985万人民币。通过天眼查大数据分析,西安龙威半导体有限公司参与招投标项目22次,专利信息32条,此外企业还拥有行政许可24个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.