北京
国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种复合压电结构及其制备方法和半导体器件”的专利，公开号CN122121528A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供一种复合压电结构，包括：支撑衬底和复合压电层，复合压电层位于所述支撑衬底的一侧表面，包括至少两层压电薄膜层，所述至少两层压电薄膜层具有相同的晶体切割类型，相邻两层所述压电薄膜层的相同面内晶轴之间具有预设夹角。本申请提供的复合压电结构中至少两层压电薄膜层具有相同的晶体切割类型，使得各层压电薄膜的热膨胀系数匹配度高，能够显著降低因热失配引起的内部应力，提升结构完整性和寿命；通过在相邻两层压电薄膜层的相同面内晶轴之间设置预设夹角，能够使相邻两层压电薄膜层的热膨胀方向互相抵消，形成互补结构，使得复合压电层趋向各向同性，有利于降低复合压电层与支撑衬底之间的热应力。
天眼查资料显示，上海新硅聚合半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本44680万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新硅聚合半导体有限公司参与招投标项目144次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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