上海
三星电子成功实现全球首个900层V级NAND原型技术，向“千层NAND时代”又迈进了一步。在与竞争对手激烈的堆叠技术竞争中，三星电子凭借这一突破迅速确立了显著的技术领先优势，备受赞誉。
据半导体行业25日报道，三星电子近期成功实现了采用“单元多重键合（CMB）”技术的900层V级NAND集成系统，该技术将两片450层单元晶圆键合为一体。
NAND闪存是人工智能服务器、智能手机和数据中心固态硬盘（SSD）的核心组件，用于存储数据。如同建造公寓楼一样，堆叠层数越多，容量越大，在有限的芯片尺寸内即可存储更多数据，同时最大限度地提高能效。这项技术被认为是三星电子在人工智能服务器和终端人工智能市场占据主导地位的关键，因为在这些市场中，高容量和高效率的组件至关重要。
目前，SK海力士凭借其321层的4D NAND闪存在量产市场占据层数最高的地位。然而，三星电子通过同时推进其第十代V-NAND（V10，超过400层）的量产，并在研发阶段迅速突破900层大关，从而在下一代NAND市场中占据了有利地位。
关于研发成果，三星电子表示“已验证单元的正常运行特性”，强调该技术展现出了超越理论堆叠的实际应用能力。
自2013年实现全球首款3D V-NAND的商业化以来，三星电子不断改进其制造工艺，以克服堆叠层数的限制。此前，该公司采用“单层堆叠”工艺，即一步完成微孔的钻孔和堆叠；然而，随着层数的增加，晶圆翘曲或错位等物理限制逐渐显现。
三星电子通过引入先进的上卡盘设计，解决了晶圆翘曲这一实现900层NAND的最大障碍。此外，该公司还利用其专有的“新型套刻校正”技术，克服了键合过程中出现的微小错位误差。得益于新推出的位线（BL）和字线（WL）结构，该公司在降低功耗和缩小芯片尺寸方面也取得了显著成果。
在全球市场，以长江存储技术股份有限公司（YMTC）为首的中国企业正在迎头赶上韩国企业，即将实现300层NAND堆叠的量产。他们正同步推进产能扩张和技术进步。
如果长江存储（YMTC）在一年内成功实现300层以上的量产，激烈的价格竞争极有可能对韩国企业的盈利能力构成压力。因此，三星电子推出900层闪存被视为一项旨在建立中长期技术壁垒的战略应对措施。
一位业内人士表示：“900层NAND闪存技术并非仅仅是300层技术的三倍，而是一项颠覆堆叠工艺范式的技术。”他补充道：“这向全球客户传递了一个信息，即三星仍然是技术领导者，并将有效限制中国企业在产量和价格方面的攻势。”
三星即将实现400层NAND闪存量产
据韩媒五月中报道，业界已将“NAND闪存”视为三星电子的优先事项，这里特指400层NAND闪存。
NAND闪存的容量随着层数的增加而增加。因此，高层NAND的实现是关键的性能指标。三星电子于2024年4月开始量产其第九代NAND“V9”，该闪存拥有286层。这是目前三星最新商用的NAND产品。
其竞争对手SK海力士正在量产并向客户供应321层NAND。就层数而言，三星电子实际上已经落后。三星电子跳过了300层NAND，直接研发400层的“V10”。然而，由于NAND需求下降，以及DRAM和HBM市场竞争力回升的时机，该公司未能加快投资步伐。据报道，
就在去年，三星电子还计划在今年上半年建立V10生产线，并在下半年开始量产。然而，据了解，采购订单（PO）尚未正式开始。
“据我了解，虽然三星电子已经重启了关于V10投资的讨论，但由于劳资关系等诸多问题交织在一起，尚未能确定具体的投资时间，”一位来自材料、零部件和设备行业的官员表示。“由于V10应用了许多创新技术，因此必须加快业务投资步伐。”
对于V10闪存，由于层数显著增加，垂直堆叠存储单元之间用于信号交换的通道孔必须更深。为此，三星电子采用了低温蚀刻技术。据报道，三星电子目前正处于低温蚀刻设备供应商选择的最后阶段。
此外，三星电子的NAND闪存还将采用该公司此前未曾使用过的“晶圆对晶圆（W2W）”键合技术。该技术将数据存储单元区域和驱动电路的“外围”区域分别放置在不同的晶圆上，然后将它们键合在一起。
据悉，三星电子还将引入用于精确切割晶圆的激光加工技术。这项技术旨在通过一种能够最大限度减少异物产生且不影响微电路的切割方法，来提高NAND闪存的性能和良率。
另一位业内人士评论道：“目前，三星电子已完成其位于中国西安工厂向V8（236层）NAND闪存的过渡，并正着手于今年向V9过渡，这使得现在成为国内工厂投资V10设备的良机。”他们补充道：“人工智能的普及推动了对高性能NAND闪存（下一代存储设备）的需求不断增长，这也是一个积极因素。”
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