SiC 碳化硅产业链全景：共振驱动的功率半导体

核心结论：SiC 作为第三代半导体核心材料，凭借高频低损耗、高压耐高温的物理特性，在800V 新能源汽车、光伏储能、AI 数据中心三大超级赛道共振驱动下，2026 年进入规模化放量与成本下探的黄金拐点。产业链呈现上游衬底壁垒最高（占器件成本 47%）、中游外延与器件加速国产替代、下游应用爆发的格局，核心投资主线为衬底国产替代 + 车规器件放量 + 上游设备材料突破。

一、产业链核心结构与价值分布

SiC 产业链呈 “金字塔” 结构，价值量高度集中于上游，技术壁垒逐级递减但市场规模逐级扩大：

产业链环节

核心产品

成本占比

技术壁垒

核心壁垒

上游

高纯 SiC 微粉、石墨热场、长晶炉、切割设备

15%

高纯材料制备、热场设计、设备精度控制

中游

衬底（导电型 / 半绝缘型）

47%

晶体生长、缺陷控制、良率提升（6 英寸 > 60%，8 英寸 > 50%）

中游

外延片（P 型 / N 型）

23%

外延均匀性、掺杂控制、厚度精度

下游

器件（MOSFET / 二极管）

10%

芯片设计、车规认证、良率管理

下游

模块（功率模块 / 逆变器）

5%

封装工艺、散热设计、可靠性测试

核心规律：衬底 + 外延合计占器件总成本约70%，是产业链利润核心与技术制高点。

二、上游：材料与设备 —— 国产化 “最先一公里”1. 核心原材料

• 高纯 SiC 微粉：6N 级以上纯度为行业标准，长期依赖进口，国内天科合达、国瓷材料加速突破，纯度达 6N-7N，成本降低 30%+
• 石墨热场：长晶炉核心耗材，要求耐高温（2500℃+）、低杂质，国内方大炭素、金博股份已实现批量供应
• 籽晶：决定晶体质量，国内天岳先进、天科合达实现自主化，晶体缺陷密度降至 100/cm² 以下

• 长晶炉：PVT 法核心设备，国内晶盛机电、晶升股份已批量供应 6-8 英寸设备，替代德国 ALD、日本 Ferrotec，价格降低 40%+
• 切割 / 研磨 / 抛光设备：国内宇晶股份、高测股份实现 6 英寸设备国产化，良率达 90%+
• 检测设备：国内精测电子、华峰测控进入产线验证，替代进口设备

• #晶盛机电：SiC 长晶炉龙头，绍兴 30 万片 / 年、银川 60 万片 / 年产能设备供应商，8 英寸设备已交付
• #国瓷材料：高纯 SiC 微粉国内领先，供货天岳先进、三环集团等头部厂商

• 主流技术：PVT 物理气相传输法（占 90%+ 市场），露笑科技独家采用导模法，良率提升 15%+
• 关键指标：晶体缺陷密度（DBD<100/cm²）、电阻率均匀性、平整度（TTV<5μm）、良率（6 英寸> 65%，8 英寸 > 50%）

• 2025 年全球导电型衬底市占率：天岳先进 27.6%（全球第一），Wolfspeed 25.3%，Coherent 18.7%，天科合达 12.5%
• 8 英寸突破：天岳先进 8 英寸衬底市占率达51.3%，良率超 70%，成本较 6 英寸降低 40%
• 国内产能：天岳先进（济南 + 临港）总产能 60 万片 / 年，露笑科技合肥基地一期 24 万片 / 年（2026 年 6 月投产），三安光电湖南基地 15 万片 / 年

公司

技术路线

产能（6 英寸等效）

良率

核心优势

#天岳先进

PVT 法

60 万片 / 年

6 英寸 > 75%，8 英寸 > 70%

全球导电型衬底市占率第一，8 英寸绝对领先

#露笑科技

导模法

24 万片 / 年（一期）

6 英寸 > 65%

绑定比亚迪 3 年长协，年保底采购 50 万片，成本低 30%

#三安光电

PVT 法

15 万片 / 年

6 英寸 > 60%

国内唯一 SiC 全产业链 IDM，车规认证加速

#天科合达

PVT 法

12 万片 / 年

6 英寸 > 60%

半绝缘型衬底国内领先，军工 / 射频领域优势明显

2. 外延片（衬底 “赋能者”）

• 核心工艺：化学气相沉积（CVD），外延层厚度控制在 1-10μm，掺杂浓度均匀性 ±5% 以内
• 全球格局：海外龙头（II-VI、ROHM）占 60%+，国内瀚天天成、东莞天域、三安光电加速追赶，良率达 95%+
• 核心标的：#瀚天天成（港股 02676）—— 国内外延片龙头，月产能 10 万片，进入英飞凌、意法半导体供应链

• 主流产品：SiC MOSFET（主驱逆变器核心）、SiC SBD（肖特基二极管，辅助器件）
• 车规认证：AEC-Q101认证周期 1-2 年，是国内厂商核心壁垒
• 国产化进展：斯达半导、时代电气、三安光电已实现车规级 SiC MOSFET 量产，良率达 98%+

• 核心技术：封装工艺（DBC/AMB 基板）、散热设计（降低热阻）、驱动电路（适配 SiC 高频特性）
• 国内龙头：斯达半导、比亚迪半导体、时代电气，已进入国内主流车企供应链

• #斯达半导：国内 SiC 模块龙头，6 英寸 SiC 芯片产线年产能 2.5 万片，绑定理想、小鹏等车企
• #时代电气：双赛道驱动，车规级 SiC 模块通过 AEC-Q101 认证，进入比亚迪供应链
• #比亚迪半导体：自给自足 + 对外供货，SiC MOSFET 配套比亚迪全系 800V 车型，单车价值量 500-800 美元

• 渗透率：2025 年全球 800V 车型渗透率超 10%，2030 年预计达 37%；SiC 在主驱逆变器渗透率达 37%，2027 年将升至 45%
• 单车价值：800V 车型主驱逆变器需 36-48 颗 SiC 芯片，单车价值量 500-1000 美元，是传统 IGBT 方案的 2-3 倍
• 核心优势：SiC 器件降低开关损耗 70%+，提升续航 5%-10%，充电时间缩短 30%，系统体积缩小 40%

• 效率提升：SiC 逆变器效率达 99.1%，较硅基方案提升 0.8 个百分点，单台年发电量增加约 400kWh
• 成本降低：1500V 高压系统中，SiC 器件减少被动元件用量，系统成本降低 15%+
• 需求爆发：2026 年全球光伏新增装机量预计达 600GW，SiC 逆变器渗透率达 20%，市场规模超 10 亿美元

• 技术趋势：英伟达 800V 直流架构推动 SiC 批量导入，数据中心电源效率提升至 98.5%，能耗降低 12%+
• 需求测算：2026 年 AI 数据中心 SiC 需求达 5 亿美元，2030 年将突破 20 亿美元，年复合增长率超 40%

• 首选：#晶盛机电（SiC 长晶炉龙头，国内市占率超 60%）、#国瓷材料（高纯 SiC 微粉国产替代核心）
• 逻辑：国内 SiC 产能扩张（2026-2028 年新增产能超 200 万片 / 年）直接带动设备与材料需求，进口替代空间超 50%

• 首选：#天岳先进（全球导电型衬底龙头，8 英寸放量弹性最大）、#露笑科技（成本优势显著，绑定比亚迪确定性强）
• 逻辑：衬底价格已企稳，8 英寸产品溢价达 30%，国产厂商良率提升至 65%+，成本优势显现，全球份额从 15% 向 30% 迈进

• 首选：#斯达半导（SiC 模块龙头，车企定点持续落地）、#比亚迪半导体（自给自足 + 对外供货，800V 车型放量直接受益）
• 逻辑：车规认证周期缩短，国内厂商从 “样品验证” 进入 “批量供货” 阶段，2026-2027 年将迎来订单与业绩双爆发

#SiC 碳化硅 #第三代半导体 #新能源汽车 800V #光伏储能 #国产替代 #衬底龙头 #功率器件 #天岳先进

SiC 碳化硅 四大赛道一页式跟踪清单一、SiC 衬底（产业链最高壁垒、利润核心）

分导电型（车用 / 光伏 / 储能）、半绝缘型（射频 / 军工 / 5G），8 英寸是未来主流降本方向

#天岳先进

• 产能：6 英寸导电型年产能 45 万片，8 英寸已量产、国内市占领先
• 良率：6 英寸良率 75%+，8 英寸良率 70%+
• 认证：车规级资质齐全，通过一线功率厂商验证
• 核心客户：英飞凌、安森美、国内头部 IDM
• 核心逻辑：全球导电型 SiC 衬底第一梯队，8 英寸先发优势最强，绑定海外大厂长协，国产替代核心龙头

• 产能：合肥基地 6 英寸年产能 24 万片，二期扩产进行中
• 良率：自研导模法，6 英寸良率 65%+，比传统 PVT 成本低 30%
• 认证：车规级衬底认证完成
• 核心客户：比亚迪三年长协，年保底采购量锁定
• 核心逻辑：导模法工艺降本优势突出，深度绑定 800V 车企，业绩确定性最强

• 产能：SiC 衬底 + 外延一体化，6 英寸等效年产能 15 万片
• 良率：6 英寸良率 60%+，IDM 内部自用 + 对外供货
• 认证：车规全链路 AEC-Q101 认证齐全
• 核心客户：国内车企、光伏逆变器大厂
• 核心逻辑：国内唯一SiC 全产业链 IDM，衬底 - 外延 - 器件 - 模块闭环

• 产能：半绝缘型衬底国内龙头，6 英寸年产能 12 万片
• 良率：半绝缘型良率 70%+
• 认证：军工、航天级资质齐全
• 核心客户：军工院所、射频芯片厂商
• 核心逻辑：半绝缘 SiC 衬底国产替代龙头，主攻军工、5G 射频赛道，周期波动小

• 产能：SiC 外延月产能 10 万片级，国内外延绝对龙头
• 良率：车用导电外延良率 95%+
• 认证：车规级外延通过全球功率大厂验证
• 核心客户：英飞凌、意法半导体、斯达半导
• 核心逻辑：国内外延第一，直接绑定海外顶级 IDM，订单饱满满产满销

• 产能：6/8 英寸 SiC 外延规模化量产
• 良率：车规外延良率 93%+
• 核心客户：国内衬底厂、功率器件设计公司
• 核心逻辑：国产外延第二梯队，承接国内替代转移订单

• 产能：内部配套外延产能充足，对外逐步放量
• 良率：自产外延良率 94%+
• 逻辑：IDM 自供为主，成本可控，支撑自身 SiC 器件放量

• 产能：车规 SiC 模块年产规模国内第一，6 英寸 SiC 芯片线满产
• 良率：SiC 模块封装良率 98%+
• 认证：AEC-Q101 车规认证齐全
• 核心客户：理想、小鹏、蔚来、光伏逆变器头部企业
• 核心逻辑：国内 SiC 功率模块绝对龙头，800V 高压平台核心供应商

• 产能：车规 SiC MOS、模块批量量产
• 良率：芯片 + 模块综合良率 92%+
• 认证：全系列车规认证落地
• 核心客户：比亚迪、中车系、储能逆变器厂商
• 核心逻辑：轨交 + 汽车双轮驱动，SiC 业务高速放量

• 产能：自研 SiC MOS 全产线自给自足
• 良率：车规级 SiC 器件良率 95%+
• 认证：全系车规资质
• 核心客户：比亚迪全系 800V 车型 + 外部车企供货
• 核心逻辑：整车 + 芯片垂直整合，SiC 深度绑定自家高压平台，业绩高确定性

• 产能：SiC SBD 二极管批量出货，MOS 逐步送样
• 认证：工业级、光伏级认证齐全，车规推进中
• 逻辑：消费 + 光伏工控打底，SiC 二极管率先放量，估值低位弹性大

• 产品：SiC PVT 长晶炉国内市占 60%+，6/8 英寸全覆盖
• 进展：8 英寸长晶炉已批量交付天岳、露笑等
• 逻辑：国内 SiC 衬底大规模扩产，长晶炉刚需龙头，订单高增

• 产品：SiC 切片、研磨、抛光设备
• 进展：6 英寸设备已大批量导入产线
• 逻辑：衬底切割耗材 + 设备双受益，跟随产能扩张放量

• 产品：高纯 SiC 微粉（6N/7N 级）
• 进展：替代进口，供货天岳、天科合达等主流衬底厂
• 逻辑：SiC 长晶核心原材料，国产替代刚需，壁垒高

• 产品：SiC 长晶炉石墨热场、保温耗材
• 进展：批量供货国内所有衬底大厂
• 逻辑：长晶炉高频耗材，随 SiC 产能扩张持续复购

#SiC##碳化硅##SiC#800V 高压平台 #国产替代