北京
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制作方法”的专利，公开号CN122028564A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括外延层、多个n电极以及多个p电极，所述外延层包括依次层叠的n型半导体层、发光层以及p型半导体层，所述多个n电极和所述多个p电极位于所述外延层的同一侧且均与所述外延层电连接；所述n电极呈多列分布；每个所述n电极的外周环绕有多个p电极，以所述n电极为中心，所述n电极外环绕的所述多个p电极的中心位于一个正n边形的顶点上，且位于两个相邻所述n电极外的所述p电极对应的正n边形共边，所述n大于2且小于或等于10。本公开可以提高亮度。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息1055条，此外企业还拥有行政许可44个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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