北京
全球存储半导体业界为因应人工智能（AI） 热潮，正将生产量能全面集中于高带宽宽存储器（HBM） 与先进的3D NAND 快闪存储器，导致2D NAND 等传统旧型产品的供应基础逐渐崩溃。
根据韩国媒体报道，随着三星电子与铠侠相继关闭获利较低的旧制程产线，加上美光也宣布退出作为通用产品核心的消费者业务，使得高度依赖长期稳定性的车用电子与工业设备等市场，正面临日益恶化的供需失衡危机。
据韩国媒体的报道指出，半导体业界表示，三星电子已从2026 年3 月起逐步停止华城厂区12 线的2D NAND 生产，并着手将该设施转换为生产先进1c DRAM 的工厂。这座每月具备8 万至10 万片晶圆产能的三星最后2D NAND 生产基地关门，宣告了自2002 年以全球首款1Gb 产品量产为开端的三星2D NAND 时代，在历经24 年后正式画下句点。
不仅如此，三星的这项决策更与过去曾主导市场的MLC（Multi-Level Cell）NAND 产品停产息息相关。三星已向客户发布MLC NAND 的停产通知，预计在2026 年6 月进行最后一次出货后，将全面停止供应。 MLC 技术虽然容量不如较新的TLC 或QLC，但数据保存力与耐用性极佳，过去一直是要求10 年以上无故障运作的医疗设备与工业机器人市场中的必要零件，如今却因获利能力不佳而面临退场命运。
在此同时，铠侠也正式展开脱离旧型存储器市场的步伐。铠侠于2026 年3 月通知客户，将逐步撤出2D NAND 与第三代BiCS Flash 产品市场，计划于2026 年9 月底前接收最后订单，并于2028 年12 月完成最终出货，预计2029 年完全退出该领域。此外，铠侠同步停产旧型TSOP 封装产品，预期低容量NAND 的供需将变得更加吃紧。
至于美光则在仅维持现有客户基本需求的同时，宣布终止旗下消费性品牌“Crucial”的业务，将旧制程晶圆产能全面转向AI数据中心所需的先进存储器，这些计划都让低容量通用NAND的供应短缺问题雪上加霜。
目前市场面临的最大问题在于，主要大厂撤出的速度已经远超过市场技术转换的脚步。市场调查机构TrendForce 预测，2026 年全球MLC NAND 的生产能力将比2025 年大幅骤减41.7%。雪上加霜的是，由于三星与美光在出售旧设备时，拒绝授权核心的MLC 制造技术，导致新进业者极难跨入该市场填补空缺。
在供应极度匮乏下，近期部分SLC 与MLC 产品价格在一个月内出现双位数以上的涨幅，其中MLC 64Gb 的现货价格更从2025 年底的约6 美元，狂飙至目前的20 至28 美元区间，涨幅高达300%，市场已出现极端的恐慌性囤货现象。
报道 引用市场人士的警告，资源过度集中于 AI 用的高附加价值 存储器 ，正在摧毁作为实体产业基础的传统 存储器 市场。这波由供应断崖所引发的 存储器 通膨骨牌效应，预计将使家电与汽车制造商的成本负担及供应链风险，一路加剧至 2027~2028 年。
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