晶合集成取得方块电阻预测相关专利，训练方块电阻预测模型实现高精度预测

来源：新浪证券-红岸工作室

5月12日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“方块电阻预测模型训练方法及方块电阻预测方法”的专利，授权公告号CN121724086B，授权公告日为2026年5月8日。申请公布号为CN121724086A，申请号为CN202610200279.0，申请公布日期为2026年5月8日，申请日期为2026年2月11日，发明人许可、陈健、邱茹蒙、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒，专利代理机构武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师杨宏伟，分类号G06N3/084、G06N3/065、G06F30/27、G06F119/18。

专利摘要显示，本发明公开了一种方块电阻预测模型训练方法及方块电阻预测方法，属于半导体技术领域，该方法包括：获取训练集；根据优化制程的设计规则，确定优化制程与训练集中每个样本的多个关键参数的多个相对差异，优化制程是在源制程的基础上优化得到的；获取方块电阻预测模型，方块电阻预测模型基于方块电阻与多个关键参数之间的物理关系构造；采用训练集中的多个样本以及每个样本的多个相对差异训练方块电阻预测模型。该方法能够实现高精度的方块电阻预测。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内领先的12英寸晶圆代工企业，具备成熟工艺技术与规模优势，投资价值凸显。

晶合集成所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，概念板块涉及半导体产业、集成电路、汽车芯片，主要从事12英寸晶圆代工业务，研发应用先进工艺，提供多制程节点、不同工艺平台的代工服务。

2025年，晶合集成营业收入108.85亿元，行业排名4/7，低于第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹公司的172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。主营业务中，集成电路晶圆制造代工103.57亿元，占比95.14%。净利润4.66亿元，行业排名4/7，低于第一名中芯国际的72.09亿元、第二名赛微电子的13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明2一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩3铝衬垫制备方法及半导体发明专利公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕4一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛5半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀6半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健7套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平8半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛9LDMOS器件及其制备方法发明专利公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪10半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智11电容结构及其制造方法发明专利公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪12半导体测试结构及方法发明专利公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春13半导体测试结构及厚度测量方法发明专利公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋14图像传感结构、传感器及制备方法发明专利公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦15一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统发明专利公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟16机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610419232.32026-04-01CN121959064A2026-05-01李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清17一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610416662.X2026-04-01CN121968622A2026-05-01吴彬彬、朱瑶18一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610419234.22026-04-01CN121969040A2026-05-01牛昆龙、张晓亮19一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610407639.42026-03-31CN121969039A2026-05-01何杨、张劲20静电放电保护器件及其制作方法发明专利公布CN202610409574.72026-03-31CN121968726A2026-05-01王维安、程洋21半导体结构的制造方法和半导体结构发明专利公布CN202610380978.82026-03-26CN121968691A2026-05-01叶家顺、张浩、曹飞、董宗谕22金属互连层及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610371023.62026-03-25CN121908875A2026-04-21运广涛、吴燕、苏圣哲、罗钦贤23一种电阻的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610361379.12026-03-24CN121899493A2026-04-21张培、季雨24MOS晶体管的电流比离群值判定装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610363491.92026-03-24CN121899472A2026-04-21牟田哲也25半导体结构及半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610360205.32026-03-24CN121908661A2026-04-21李猛猛26掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610345242.72026-03-20CN121888938A2026-04-17桑华煜、程洋、汪华27半导体结构的制造方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610339571.02026-03-19CN121908612A2026-04-21运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲28一种半导体器件的测试结构及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610330738.72026-03-18CN121865901A2026-04-14尚正阳、王维安、程洋29静态存储器的最小工作电压的调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610331131.02026-03-18CN121905249A2026-04-21田志锋30一种半导体器件及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610320005.52026-03-17CN121865655A2026-04-14尚正阳、王维安、杨宗凯31一种金属场板的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610324950.22026-03-17CN121865673A2026-04-14尚正阳、王维安32半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321343.02026-03-17CN121888607A2026-04-17康绍磊33一种半导体器件及其制备方法、集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610320000.22026-03-17CN121908592A2026-04-21朱敏34一种水溶性防护膜及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610312126.52026-03-16CN121851828A2026-04-14葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、蔡马龙35一种防护膜及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610312129.92026-03-16CN121873627A2026-04-17葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、许雨芩36半导体FDC卡控分群的异常识别方法及系统发明专利公布CN202610306246.42026-03-13CN121834632A2026-04-10李惠玉、简炜宸37一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610303309.02026-03-13CN121843514A2026-04-10卢俊玮38半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610296701.72026-03-12CN121843508A2026-04-10李猛猛、任大雅、魏巍、唐鹏飞39MIM电容结构及其制备方法发明专利公布CN202610296709.32026-03-12CN121843133A2026-04-10方婧媛、洪繁、谢荣源40用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法发明专利公布CN202610295345.72026-03-11CN121815782A2026-04-07张浩、董宗谕、卞亚飞41孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法发明专利公布CN202610290291.52026-03-11CN121843506A2026-04-10唐鹏飞、魏巍、李猛猛42半导体结构的制造方法、半导体结构和图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610289492.32026-03-11CN121865716A2026-04-14张浩、董宗谕、王梦晴、卞亚飞43电性参数预测模型的训练方法、预测方法和相关装置发明专利公布CN202610286061.12026-03-10CN121808745A2026-04-07马姣、邱茹蒙、吴文豪、陈健、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒、王仲盛44掩模标记及生成方法、光刻方法、套刻误差的测量方法发明专利公布CN202610282910.62026-03-10CN121832192A2026-04-10门莹莹、黄玉、周立早45晶圆键合对准补偿方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610275407.82026-03-09CN121793825A2026-04-03伍德超、陈建松46一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610274800.52026-03-09CN121785058A2026-04-03赵志豪、李海峰、沈俊明47半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610276804.72026-03-09CN121843157A2026-04-10王文智、王仲盛48图像传感器及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610268737.42026-03-06CN121793475A2026-04-03王志伟、都智、马忠祥、谢荣源49半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610267257.62026-03-06CN121793655A2026-04-03王文智50半导体器件版图设计装置以及半导体器件版图设计方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610261372.22026-03-05CN121787361A2026-04-03大﨑秀史

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