台积电加码2nm：2026年-2028年产能年增70%

据悉，台积电2nm工艺良率已稳定在60%至70%区间，甚至有市场消息称其良率或达90%。

全球最大晶圆代工厂台积电预判，2nm制程芯片产能将在 2026 至 2028 年期间，实现 70%的复合年均增速。

台积电高级副总裁兼联席副COO、首席信息安全官侯永清，在硅谷举办的台积电 2026 技术研讨会上透露，本年度将有五座晶圆厂落地 2nm工艺量产，其中两座布局新竹、三座落地高雄。

侯永清指出，2nm制程自 2025 年第四季度投产，其首年产能规模，相较3nm制程 2023 年量产首年的产能，提升幅度可达 45%。与此同时，台积电将持续扩容3nm产能，机构测算其 2022 至 2027 年的产能年均增幅约 25%。

在先进封装领域，台积电同样保持高强度扩产节奏。数据显示，2022 至 2027 年，CoWoS 先进封装产能年均增速将突破 80%，SoIC 封装产能年均增速更是有望超 90%。此外侯永清提及，台积电美国亚利桑那州首座晶圆厂，2026 年产能相较 2025 年将提升 80%；日本熊本首座晶圆厂的年度产能增幅，预计将达到 130%。

据悉，台积电2nm工艺良率已稳定在60%至70%区间，甚至有市场消息称其良率或达90%。因此尽管，高通正在重新评估下一代骁龙处理器的代工策略，其生产重心全面倒向台积电。

这意味着，即便三星2nm良率从去年20%拉升至目前的60%，高通下一代骁龙8系旗舰芯片订单，依旧被台积电全盘拿下。

为应对特斯拉AI5芯片更为迫切的产能需求，三星已决定加速美国泰勒晶圆厂的投运进度。

在产能吃紧的局面上，优先保障特斯拉等已有契约的大客户成为必然选择，三星短期内已无法腾挪出足够产能来满足骁龙旗舰芯片的需求。台积电则展现出截然不同的节奏——2nm工艺已在2025年第四季度正式进入量产阶段，今年预计将快速放量成长。

N2工艺（2nm）是台积电首个采用全环绕栅极（Gate-all-around，GAA）纳米片（Nanosheet）晶体管的制程节点，在性能和功耗方面实现了全节点提升。根据台积电公布的技术参数显示，与前一代N3E 制程相较，N2 在相同功耗下可提升10% 至15% 的性能。若在相同性能下，则能耗降低25% 至30%。对于混合设计（包含逻辑、类比与SRAM）而言，其晶体管密度可提升15%。而针对纯逻辑设计，晶体管密度增幅更高达20%。

此外，台积电还开发了低电阻重分布层（RDL）和超高性能金属-绝缘体-金属（MiM）电容器，这项创新为供电网路提供了比前代设计高出两倍以上的电容密度，同时将片电阻（Rs）与通孔电阻（Rc）各降低了50%。这些技术细节的改进，直接转化为更稳定的供电、更卓越的运算性能以及更优化的整体能源效率。

台积电表示，N2技术在密度和能效方面都将成为半导体行业最先进的技术。凭借领先的纳米片晶体管结构，N2技术将带来全节点性能和功耗优势，以满足日益增长的节能计算需求。通过我们持续改进的战略，N2及其衍生技术将进一步巩固台积电的技术领先地位，并使其在未来很长一段时间内保持领先地位。

近日，台积电在2026年北美技术研讨会上公布了至2029年的详细工艺路线图。台积电业务发展及全球销售高级副总裁兼副首席运营官张晓强（Kevin Zhang）博士在会上宣布，台积电正在采取一种刻意分化的战略——根据终端市场需求细分前沿工艺节点，而非采用一刀切的方式。具体而言，台积电将实施新的工艺技术发布策略：每年为客户端应用推出一款新节点，每两年推出一款面向高负载AI和高性能计算（HPC）应用的新节点。

面向客户端（智能手机、消费电子）的节点：N2、N2P、N2U、A14、A13。这类节点强调成本、能效和IP复用，强大的设计兼容性至关重要，客户可接受渐进式改进。面向AI/HPC数据中心的节点：A16、A12。这类节点必须提供显著的性能提升以证明技术过渡的合理性，成本相对次要。这些节点集成了Super Power Rail（SPR）背面供电技术，以解决AI数据中心的电源完整性和电流传输限制问题，更新周期为两年。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。