新 闻1:三星和金士顿双双涨价:旗下SSD提价至少10%
据博板堂,本周SSD市场传出了新的消息,在低迷的市场状态下,由于上游原厂NAND闪存颗粒价格依然处于高位,各个品牌厂家考虑到成本压力只能“无奈”作出选择,陆续放出了再度上调官方建议零售价(MSRP)的消息。
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这次主要来自两大厂商,分别是三星和金士顿,具体为:
三星官方已发布SSD官方建议零售价调整的通知,涨幅在10%以上,已经通知了国内三个国代,成本价格正式拉涨。
金士顿昨天也宣布旗下SSD全系列产品统一上调官方建议零售价,本周立即执行,涨幅至少10%。
随着三星和金士顿两大厂商再次提价,反映出现阶段存储芯片成本压力正在向下游传导,预计其他品牌厂商很快会跟进,SSD市场很可能迎来新一轮涨价周期。对于消费者来说,这肯定是个坏消息。
按照TrendForce最近的,过去这一段时间里,NAND闪存颗粒报价走势持续向上攀升,主要受到铠侠部分产品进入EOL阶段及三星潜在罢工风险影响,导致市场对于未来供给的焦虑感并未消退,询单量持续增加。不过由于近期涨幅过快且幅度较大,买家对于高价部位的承接速度明显受限,整体交易量有限。
原文链接:https://www.expreview.com/105430.html
之前我们说过,NAND合约价其实一直在缓增,虽然没有DRAM那么夸张,但长期涨价的情况肯定会体现到终端产品上,现在,终端产品的涨价终于体现出来了。三星和金士顿的SSD产品首先涨价,本次将提高10%,其他厂商应该也快跟进了。在此之前,闪迪已经进行过几轮涨价,铠侠似乎也顶不太住了,NAND涨价潮要开始了吗??
新 闻 2:消息称三星电子有望时隔 5 年再度大规模投资 NAND 闪存新产能
4 月 17 日消息,韩媒 the bell 当地时间本月 14 日报道称,三星电子有望时隔 5 年向 NAND 闪存新产能大幅度投资,计划在平泽 P5 晶圆厂中建设一条 NAND 生产线。
三星电子自 2022 年投产的平泽 P3 后就没有在 NAND 方面进行重大投资,存储器业务的精力主要放在了 DRAM 端。当前 NAND 市场供显著小于求,推高了产品定价;且随着 AI 产业的发展,客户对高性能大容量 SSD 的需求还将进一步提升。
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平泽 P5 是一座 3 层的大型晶圆厂,每层拥有 2 个洁净室,因此总共有 6 个阶段 (PH)。三星电子考虑将 P5 的一个 PH 用于 NAND 制造;P5 PH1 则将服务于 1c nm DRAM 工艺。报道提到,三星电子还有意在 P5 附近再建设一座相同结构的 6 阶段大型晶圆厂。
原文链接:https://m.ithome.com/html/940323.htm
长期来看,增产对价格是有正向影响的,如果三星增产的动作能大一些,NAND闪存的价格将会更加趋于平稳,但问题就是……这个增产消息来的太晚了,真正落实也有些太迟了……厂商们不太愿意投资NAND也正常,过去的5年正好是NAND寒冬的5年,如今终于价格抬头,厂商们终于开始又投产这条线了。
新 闻3: 三星西安工厂设备升级导致产量下降,减少5%至6%,影响或延续至明年
三星位于西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂,也是最大的存储芯片生产基地。作为全球单个产能最高的NAND闪存工厂,占据了三星约40%的NAND闪存产量。最近有消息称,三星正在升级西安工厂的生产线,已经完成第一阶段的升级工作,可生产236层第8代V-NAND闪存,另外今年内还有第二阶段升级,以支持286层第9代V-NAND闪存的生产。
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据TrendForce报道,由于设备升级,三星西安工厂的NAND闪存产量下降,相比于之前每月约15万片晶圆,减少了5%至6%。目前三星西安工厂的生产线正处于“过渡期”,对生产造成了压力,一方面继续保持128层第6代V-NAND闪存的生产,另一方面已经开始量产236层第8代V-NAND闪存,未来将逐渐转换。
三星西安工厂生产线的第二阶段升级工作预计今年内完成,将进一步巩固自身作为三星NAND闪存业务关键枢纽的角色。考虑到美国可能对出口到中国的半导体设备继续收紧管制,促使三星加快了升级的步伐。
要生产更先进的NAND闪存,除了安装新工具外,还涉及到多个生产环节的调整,包括工艺重新校准和良品率的稳定性等,这些都需要时间适应,通常时间为六个月,甚至长达一年。这次三星将工艺升级放在了最优先级,而不是产能提升,因此生产线改造可能影响更广泛的供需动态及价格趋势,且持续到明年。
原文链接:https://www.expreview.com/105408.html
增产还没来,减产就先落实了,这次不是什么断电地震火灾水污染了,而是“设备升级”。这次主要受影响的也正是NAND产品,不过我倒不觉得这是三星故意的,只能说是碰巧,毕竟此前就有消息表示三星要加大西安工厂的投资,这或许只是一部分投资到位了吧。
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