这些芯片，传大缺货

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英伟达引爆AI伺服器「电力大革命」，扮演电源架构转变关键的功率元件传出大缺货，国际整合元件大厂（IDM）部分产品交期已拉长至30周，涨价潮一触即发。

业界指出，随着GPU丛集功耗快速攀升，数据中心不只需要更多晶片，也需要更高效率的供电架构。国际功率半导体大厂近期接连推出800VDC高压直流数据中心电源方案，显示AI基础建设的下一个关键战场，正从GPU、高频宽记忆体（HBM）与先进封装，进一步扩大到电源转换、功率元件等供应链。

德国指标大厂英飞凌（Infineon）先前即表示，AI快速成长，正使现有54V数据中心电源基础设施面临容量瓶颈，转向集中式800VDC架构，有助降低电力损耗、提升效率与可靠度。英飞凌并强调，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）与硅基功率半导体技术的组合，将是未来AI数据中心提升效率的重要关键。

另一家产业巨头德仪（TI）最新财报也为类比与功率半导体复苏提供佐证。德仪上季营收48.25亿美元，年增19%，预估本季营收将落在50亿至54亿美元，每股盈余1.77至2.05美元，双双优于市场预期，显示数据中心相关需求已不只集中于高阶运算晶片，也外溢至类比、电源管理与功率元件。

业界传出，由于AI整体电源架构大跃进，推升功率元件需求大开，IDM大厂部分功率元件产品交期已长达30周，伴随全球成熟制程产能利用率普遍维持高档，导致功率元件供应缺口难以填补，整体市场缺货状况恐更严重，国际大厂面临难以满足客户所有订单需求，相关订单外溢效应将扩散。

SiC 和 GaN 功率器件市场规模预计将超过 140 亿美元

自2018-2019年以来，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）持续快速增长，但驱动因素各不相同。最初，颠覆性汽车制造商特斯拉在其逆变器中采用了SiC，并保持着该领域的市场领先地位。过去几年，比亚迪和现代等更多汽车制造商推出了高产量纯电动汽车（BEV）。另一个正在重塑电动汽车（EV）市场的趋势是800V快速充电。随着纯电动汽车市场在2024年和2025年增速放缓，意法半导体（STMicroelectronics）和安森美半导体（Onsemi）等领先企业的收入受到影响。在充满活力的SiC行业中，供应链也在不断演变和整合。预计2026年和2027年的复苏将推动功率SiC市场在未来五年内达到100亿美元以上的规模。

与此同时，消费应用仍然是功率型氮化镓（GaN）市场增长的主要驱动力。近期趋势包括充电器功率容量提升至300W，以及家用电器电源和电机驱动器效率更高、体积更小。除了消费领域，我们预计功率型氮化镓还将成为汽车和数据中心应用领域的两大增长催化剂，有望在2031年将器件市场规模推高至30亿美元以上。数据中心对氮化镓的应用在2025年开始加速，预计未来将持续增长，以满足先进人工智能系统日益增长的电力需求。

过去几年，随着多家碳化硅（SiC）厂商发布公告，我们看到整个供应链的产能增长速度超过了市场需求。这其中包括未来几年8英寸芯片的过渡。然而，自几个季度前以来，纯电动汽车（BEV）市场持续放缓，导致市场需求前景不明朗，厂商们也因此调整了生产计划，以更加谨慎地管理现金流。

与此同时，供应链各环节的库存是洞察市场状况的关键指标之一。在晶圆和外延晶圆层面，6英寸和8英寸晶圆的出货趋势存在差异。由于大多数主要器件制造商都在进行8英寸晶圆的认证工作，因此出货量既反映了市场需求，也反映了认证要求。

除了预期800V纯电动汽车产能爬坡和在各种工业应用领域渗透率不断提高带来的复苏之外，人工智能数据中心也是厂商们关注的目标市场。在本期报告中，我们将提供终端市场动态、产能扩张计划的最新信息，重点介绍主要厂商的举措，并附上我们未来五年的预测。

在功率氮化镓市场，台积电退出氮化镓代工业务的决定引发了供应链的重组，迫使依赖其平台的企业迁移生产、内部化制造或寻找其他代工合作伙伴。为此，多家厂商正在扩大其代工能力：VIS和GlobalFoundries已从台积电获得氮化镓技术授权，其他代工厂也在积极布局，以抓住新兴市场需求。与此同时，英飞凌和罗姆等主要集成器件制造商（IDM）正转向更加垂直整合的氮化镓制造战略，以确保晶圆供应。

与此同时，汽车和数据通信应用领域（例如人工智能数据中心的高效电源）涌现出越来越多的参考设计和原型。预计这些因素将共同推动功率氮化镓市场在未来几年内增长至约30亿美元。

（来源：联合新闻网）

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