北京
国家知识产权局信息显示，芜湖予秦半导体科技有限公司申请一项名为“一种低应力碳化硅晶体退火装置及工艺”的专利，公开号CN121916655A，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低应力碳化硅晶体退火装置及工艺，具体涉及碳化硅晶体制备技术领域，包括退火炉，退火炉内设置有装料结构；装料结构包括导热筒、固定安装在导热筒内两侧的一对固定撑和开设在导热筒外环面的若干个放料槽；固定撑通过转轴转动连接在退火炉内，且转轴端连接有驱动电机。还包括限位罩、加热元件、密封炉盖、一对轮盘动作组件、下料板、多个上料盒、挡炉板、密封启闭组件。本发明解决了碳化硅晶体退火的手段需人工干涉退火炉内的碳化硅晶体进行上料与下料，退火炉炉门常开的状态热损耗大，人工操作安全性低，并受加热时效的影响，碳化硅晶体取出及时性的不足会影响加热质量的技术问题。
天眼查资料显示，芜湖予秦半导体科技有限公司，成立于2022年，位于芜湖市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本360万人民币。通过天眼查大数据分析，芜湖予秦半导体科技有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息14条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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