SK海力士：发布产业愿景

台积电明确战略方向

《突破技术极限，存算融合为关键》：SK 海力士于台积电技术研讨会发布产业愿景

2026 年台积电技术研讨会于硅谷核心区域举办。会上，SK 海力士充分展现其 AI 存储龙头的行业地位，并重申与台积电的深度战略合作关系。企业高管在主旨演讲中提出存算融合理念，完整规划面向 AI 时代的技术发展路线。以下带您直击现场，感受本次行业盛会的热烈氛围。

半导体构筑全新纪元：共享 AI 优化创新技术

当地时间 22 日，美国加州圣何塞市圣克拉拉会议中心一早便人头攒动。台积电在全球七大核心地区巡回举办开放创新平台（OIP）论坛，汇聚半导体设计与制造上下游合作伙伴，分享前沿技术成果与协同研发进展。本届北美研讨会以 “引领芯片创新，拓展 AI 边界” 为主题，集中展示面向 AI 加速器与高性能计算（HPC）深度优化的创新技术。

逻辑芯片领域，大会聚焦 3 纳米以下先进制程迭代进展，覆盖 2 纳米、A16、A14 等新一代工艺。封装技术层面，台积电重点展示 CoWoS、InFO、SoIC 等堆叠封装创新方案。

依托上述技术布局，台积电明确战略方向：以高密度晶体管与低功耗架构深耕 AI 数据中心及云端市场，全面适配高性能计算、智能手机、自动驾驶等全场景 AI 应用的高速扩张需求。

• A16：台积电下一代 1.6 纳米级制程工艺；A14 为紧随 A16 规划落地的 1.4 纳米级先进制程。

• CoWoS（晶圆基板集成封装）：台积电 2.5D 封装技术，将芯片堆叠于晶圆后衔接基板。可在单一封装内并列集成逻辑芯片与高带宽内存，大幅提升数据传输速率，是 AI 加速器与高性能计算的核心支撑技术。

• InFO（集成扇出封装）：摒弃传统封装基板，通过扇出工艺拓展芯片外围电路。兼具轻薄化与高能效优势，主要应用于移动终端处理器。

• SoIC（集成芯片系统）：前沿 3D 堆叠封装技术，实现不同芯片垂直键合。采用无凸点混合键合工艺，拓宽数据传输带宽、缩小芯片体积，为下一代 AI 芯片量产的核心关键技术。

SK 海力士首席开发官安铉发表题为《AI 存储新世代：智能融合，共创未来》的主旨演讲，提出唯有突破技术边界、推进颠覆式创新，才能打破当前行业技术瓶颈。

安铉首先阐述了 SK 海力士面向 AI 时代的存储技术研发方向。

他指出：“当下制约 AI 发展的核心痛点是内存墙，带宽瓶颈导致海量数据无法高效快速处理。想要突破这一壁垒，不能仅局限于现有架构的小幅优化，必须革新底层技术路线。”

他进一步表示：“SK 海力士正在完成身份升级，从单纯的存储产品供应商，转型为深度参与架构设计的技术共创者，按需定制、研发适配场景的存储解决方案。未来，我们将跳出标准化高带宽内存供货模式，为客户提供定制化高带宽内存产品，并将定制化策略延伸至 DRAM、NAND 全品类存储，全面提升 AI 系统的综合性能与运行能效。”

安铉同时公布了 SK 海力士全新技术发展蓝图：“存算融合技术是突破现有架构局限、释放 AI 算力上限的全新突破口。以此为核心，我们将深化战略合作，自第四代高带宽内存产品起，采用台积电先进逻辑工艺制造基底芯片；同时推出多元化定制方案，覆盖定制化高带宽内存、高带宽闪存、逻辑芯片堆叠 3D DRAM 等产品，精准适配不同客户的算力负载需求。”

• 高带宽闪存：新一代高速 NAND 闪存方案，具备超强极速数据传输能力，可高效承载大模型海量算力数据（如键值缓存）。该产品同样在基底芯片集成逻辑制程设计，最大化释放性能。

• 逻辑芯片堆叠 3D DRAM：尖端堆叠技术，将 DRAM 内存垂直堆叠于片上系统等逻辑芯片上方。大幅增加数据传输通道，降低延迟、提升能效与空间利用率，是端侧 AI 设备的核心适配技术。

演讲最后，安铉将协同合作定义为 AI 产业发展的核心基石，明确 SK 海力士的行业合作定位。他强调：“凭借高带宽内存等核心产品的技术壁垒，SK 海力士已是行业顶尖的 AI 存储合作伙伴。我们愿携手全产业链伙伴，实时共享技术成果、联合攻克行业难题，凝聚合力，共同开启 AI 产业全新篇章。”

隐形硬核技术，解锁 AI 无限可能

同期配套展会同步开展，SK 海力士携全套前沿存储解决方案亮相。以 “隐形科技，赋能无限可能” 为理念，品牌重点展出全系高带宽内存核心产品，直观展示 SK 海力士 AI 存储芯片隐藏于设备内部、支撑 AI 高效运行的核心价值。

高带宽内存 3E 展区人气居高不下。现场拆解展示英伟达 GB300 搭载的 12 层堆叠高带宽内存 3E 产品，分层解析芯片在终端设备中的运作原理，讲解通俗易懂。参展观众细致观摩分层产品结构图，踊跃向工作人员咨询技术细节，参展热情高涨。

16 层堆叠、48GB 容量的第四代高带宽内存实物及内部结构 3D 模型展区同样备受关注。产品介绍特别标注 “搭载台积电先进逻辑工艺基底芯片”，直观体现双方深度绑定的技术合作关系。

此外，SK 海力士完整展出新一代服务器 DRAM 产品矩阵，彰显顶尖技术领跑实力。现场亮相业界容量最大的 256GB 3DS RDIMM 内存模组、面向高性能计算场景优化的 128GB MRDIMM 模组，以及全球首款采用 1c 纳米制程、主打超低功耗的 64GB RDIMM 内存。多款旗舰产品同台展示，全面覆盖企业级服务器市场需求。其中，搭载 1c 纳米制程的 192GB SOCAMM 内存模组，专为 AI 服务器量身打造，凭借低功耗、高性能与全新形态设计，成为下一代算力设备的热门解决方案。

展会配套互动活动同样收获满满人气。关注 SK 海力士领英官方账号即可领取定制周边，创意复刻高带宽内存堆叠结构的 “汉堡造型” 纪念品广受好评。品牌同步发放技术科普手册，以 “堆叠制造指南” 趣味解读复杂芯片技术，一改科技展会的严肃风格，营造轻松友好的交流氛围。

SK 海力士表示：“本次研讨会进一步巩固了与台积电的战略合作关系，清晰对外传递企业技术升级方向。未来，我们将依托全球领先的存储技术实力，稳固全栈式 AI 存储共创者的核心定位，携手全球生态伙伴，持续引领 AI 产业高质量发展。”

—— 芯榜 ——

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