SK海力士正式量产192GB容量SOCAMM2

与传统的RDIMM相比，SOCAMM2带宽提升逾两倍，功耗降低75%以上。

今日，SK海力士宣布，公司正式量产基于第六代10纳米级（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB（千兆字节）容量SOCAMM2产品。

SOCAMM2是一款将主要适用于智能手机等移动端设备的低功耗内存，针对服务器环境进行优化的内存模块，主要面向下一代AI服务器等应用场景。SK海力士表示：“公司采用1c工艺的SOCAMM2，是专为高性能AI运算优化的解决方案。与传统的RDIMM相比，其带宽提升逾两倍，功耗降低75%以上。”

该公司特别强调，该SOCAMM2产品是面向英伟达的Vera Rubin平台设计的。此外，该产品可从根本上缓解数千亿参数级AI大模型在训练与推理过程中所面临的存储瓶颈问题，SK海力士期待其助力能够大幅提升整体系统的处理速度。

该公司还表示：“随着AI发展从训练转向推理阶段，支持大型语言模型低功耗运行的SOCAMM2作为下一代存储器解决方案，正备受瞩目。为满足全球云服务供应商（Cloud Service Provider）客户需求，公司提前搭建起稳定的量产体系。”

SK海力士AI Infra担当金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“通过192GB容量SOCAMM2的产品供应，公司建立了面向AI的存储器性能新基准。公司将与全球AI客户紧密合作，成为‘客户最信赖的面向AI的存储器解决方案企业’。”

AI技术的发展正引领着计算领域的范式变革，而内存技术则成为这一变革的关键所在。HBM与LPDDR内存解决方案，对于释放GPU的计算潜能起到了至关重要的作用。然而，随着内存需求的不断增长，如何在有限的设备体积和成本内容纳更高容量的内存，已成为一个挑战。

同时，服务器的内存消耗占据了相当大的功耗比例。在配备每插槽TB级DDR5内存的服务器中，DRAM的功耗甚至超过了CPU。为了应对这一挑战，英伟达设计了基于LPDDR5X内存的Grace CPU，其功耗低于DDR5，同时通过借鉴AMD和英特尔数据中心级处理器的宽内存总线设计，实现了高内存带宽。但迄今为止，LPDDR DRAM主要采用板载（On-Board）方式，直接焊接在设备主板上，而非模块化设计。

而板载方式的缺点在于一是成本高昂，更换时必须整块主板一起更换。二是缺乏灵活性，不支持升级，更换难度大。然而，对于基于GB200 Grace Blackwell的系统，英伟达不得不采用焊接式的LPDDR5X内存封装，因为缺乏能够满足其容量需求的标准LPDDR5X内存模块。

因此，SOCAMM横空出世。SOCAMM的出现，不仅仅是一项技术的创新，更是一场深刻的行业革命。它以一种全新的模块化设计，彻底改变了传统内存的使用方式。

在性能方面，SOCAMM的表现尤为突出，得益于其底层创新设计，包括128-bit总线和近CPU布局，这些设计优化了信号完整性，减少了信号传输延迟，从而显著提升了整体性能。SOCAMM数据传输速率可达8533Mbps，相比DDR5 RDIMM的6400Mbps，性能提升了约33%，可以满足AI训练和高性能计算中对数据吞吐量的极高要求。在能效方面，SOCAMM同样表现出色。其采用1.05V的低电压供电，功耗仅为DDR5 RDIMM的1/3。结合液冷技术，SOCAMM能够在高密度部署的场景下有效降低功耗，这对于数据中心的运营成本控制和可持续发展具有重要意义。这些创新设计使得SOCAMM在性能、能效和空间利用方面都达到了新的高度，为高性能计算和存储领域带来了全新的解决方案。

据EBN称，SOCAMM被视为下一代HBM，在小型PC和笔记本电脑中具有优于传统DRAM的性能和能效，这可能是关键所在。预计SOCAMM的出现将在整个半导体行业产生连锁反应，影响到三星电子、SK海力士等内存厂商，以及Simmtech和TLB等基板公司。

目前，SOCAMM内存技术适用于需要高性能内存支持的场景，如AI计算、高性能计算、数据中心等。由于其可拆卸升级的特点，SOCAMM内存技术还适用于需要频繁更新硬件设备的领域，如游戏、图形设计、虚拟现实等。随着AI、大数据、云计算等技术的快速发展，对高性能内存的需求日益增加。SOCAMM以其卓越的性能和能效比，正好满足了这些领域对内存的高要求。

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