三星宣布：这类存储芯片，停止生产！停止接单！

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（来源：半导体前线）

高阶存储产品所带的高额利润让三星决定停产LPDDR4和LPDDR4X，将更多产能投入到DDR5和HBM，也意味着这两款量产逾十年的主流内存产品正式进入EOL阶段。

据韩媒报道，三星将于2026年4月17日起停止接收 LPDDR4/4X 一切新增订单，也不再接受客户追加采购需求。考虑到末批订单的时间节点，LPDDR4和LPDDR4X的生产预计将延续至2026年年底，产线转换工作则将于2027年第一季度正式展开，届时LPDDR4/4X 将彻底停产，产能全部转向LPDDR5、LPDDR5X 移动 DRAM 及 HBM 高带宽内存。

三星此次计划停产LPDDR4系列，最核心的原因在于HBM（高带宽内存）和先进DDR5产品的利润率更高。叠加 AI 浪潮下先进内存供不应求，三星希望将有限晶圆、产能资源全部倾斜到利润率更高的产品线上，不再维持低利润旧代产品产能。

LPDDR4和LPDDR4X是过去十年间智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子设备最主流的内存解决方案，三星此次停产将直接影响三星自身易懂业务部门以及众多的外部客户。

不仅如此，这类芯片的现货价格也将更加波动。三星LPDDR4X内存报价从2025年3月的6美元/颗飙升至2026年1月的28.5美元/颗，不到一年涨幅接近4倍。

但三星的停产计划还远远不止于LPDDR4。早在2月份，就有消息称三星电子将在今年停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存。该产线原先每月产能为8万至10万片12英寸晶圆，三星在韩国减少的NAND产能预计将通过其中国西安工厂的增产来弥补。三星目前正在升级西安的3D NAND产线，以生产下一代NAND产品。

纵观当下存储市场，接连停产旧世代存储的不止三星。在3月份，铠侠就先后发布了两次停产函，宣布“薄型小尺寸封装”（简称TSOP）和部分浮栅式（Floating Gate）和 BiCS Flash Gen3 产品相关产品停产。

其中，8Gb-64Gb的TSOP封装产品否最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年5月30日，最后采购订单截止日为2026年9月15日，最后出货时间为2027年3月15日。基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS Flash Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD的最后采购预测期限为2026年9月30 日，最后出货时间为2028年12月31日。

近年NAND Flash技术快速演进，由于无尘室空间有限，相较主流TLC与QLC架构，MLC的单位产值最低，不符合NAND原厂追求规模经济与资本效率的策略，因此原厂正积极集中资源于TLC、QLC与DRAM，并逐步将LCLC产品停产（EOL），而如今则连2D NAND产品也将停产。

巨头退出，但空出来的位置总会有企业跟上。对于国产存储芯片厂商来说，这或许是一个难得的市场窗口，如果能够填补三星退出后留下的中低端内存市场空白，将有望在2026年下半年迎来一波订单红利。这对于当前火热的存储市场行情来说，无疑是对原厂们的又一个利好，尤其在国产存储芯片性能越来越优质的背景下，这亦是国产企业表现的好机会。