北京
国家知识产权局信息显示，南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种集成Ag反射镜的垂直结构Micro-LED芯片制备方法”的专利，公开号CN121865776A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种集成Ag反射镜的垂直结构Micro‑LED芯片制备方法，包括以下步骤：提供LED外延晶圆，LED外延晶圆包含衬底和GaN基外延层；在GaN基外延层上制备MgO阵列；刻蚀GaN基外延层形成Micro‑LED像素阵列；制备钝化层；在钝化层上制备填充层；将填充层和钝化层进行平坦化处理，直至露出MgO阵列；去除MgO阵列；制备Ag反射镜；制备第一键合金属，第一键合金属将Ag反射镜完全包覆；提供驱动芯片，制备第二键合金属；键合第一键合金属和第二键合金属；去除衬底，露出第一半导体层；在第一半导体层上制备N电极。本发明充分利用MgO和GaN之间的高刻蚀选择比，利用MgO为刻蚀GaN基外延层时的掩膜，可以有效简化工艺。此外，MgO的引入不会带来漏电风险，且具有成本低，易湿法去除的优点。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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