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三星电子正式对外披露，公司计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E（高带宽内存4E）样品，进一步巩固在高端AI内存市场的领先优势，应对来自美光、SK海力士等竞争对手的挑战。HBM作为AI芯片的核心配套组件，主要用于高端GPU、AI加速器等产品，随着人工智能技术的快速发展，市场对HBM的需求持续激增，尤其是HBM4及以上高端产品，成为全球半导体企业竞争的核心焦点。
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据悉，三星此次研发的HBM4E采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die工艺，相比目前主流的HBM4产品，带宽提升20%以上，功耗降低15%，单颗容量可达24GB，能够更好地满足英伟达下一代GPU对内存带宽和容量的需求。
目前，三星已完成HBM4E的核心技术研发，正在推进生产线调试和样品测试工作，预计2026年下半年实现批量生产，2027年占据全球HBM4E市场份额的50%以上。
与此同时，三星还在同步推进HBM5的研发工作，计划2028年推出HBM5样品，进一步扩大在高端AI内存市场的优势。业内数据显示，2025年全球HBM市场规模达300亿美元，预计2026年将增长至450亿美元，年增长率达50%，其中HBM4及以上高端产品占比将超过70%。
目前，三星、美光、SK海力士占据全球HBM市场的99%以上份额，其中三星占比达52%，处于领先地位。此次加速HBM4E研发，将进一步巩固三星的市场地位，同时为全球AI产业的发展提供核心硬件支撑。
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