北京
国家知识产权局信息显示，无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置”的专利，公开号CN121865646A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层中形成有至少两个第一开口；对衬底进行第一离子注入，形成至少两个第一体区；在第一开口的侧壁上形成第二掩膜层，第二掩膜层的宽度为第一宽度；进行第二离子注入，在第一体区中形成第一源区；形成填充第一开口的介质层；去除位于第一体区之间的第一掩膜层，形成第二开口；在第二开口的侧壁上形成第三掩膜层；进行第三离子注入，在衬底中形成第二体区；在第三掩膜层的侧壁上形成第四掩膜层，第四掩膜层的宽度为第二宽度，第二宽度大于或小于第一宽度；进行第四离子注入，在第二体区中形成第二源区。本申请能够形成不同长度的沟道。
天眼查资料显示，无锡华润微电子有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本57000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2901次，财产线索方面有商标信息26条，专利信息128条，此外企业还拥有行政许可192个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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