北京
国家知识产权局信息显示，东芯半导体股份有限公司申请一项名为“NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法”的专利，公开号CN121862176A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法，在擦除过程中监测NAND Flash芯片的擦写循环次数，基于检测到的擦写循环次数的范围来确定NAND Flash芯片的目标存储块的存储单元物理特性开始出现劣化的节点、已出现劣化且劣化程度开始加深的节点以及已出现劣化且劣化程度已加深的节点所分别对应的擦写循环次数，并基于这些节点所分别对应的擦写循环次数来调整NAND Flash芯片写入脉冲强度。
天眼查资料显示，东芯半导体股份有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本44224.9758万人民币。通过天眼查大数据分析，东芯半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可16个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
