北京
国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“检测晶体微小缺陷的方法”的专利，公开号CN121830714A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种检测晶体微小缺陷的方法，所属半导体材料制造与检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：原材料选取与预处理。第二步：升温阶段，将处理后的硅片放入热氧化炉中。第三步：高温氧化阶段，向炉内通入湿氧，在1100℃的高温下恒温保持2小时。第四步：降温阶段，氧化结束后，开始降温。第五步：对于存在缺陷的硅片，在界面压应力的作用下，缺陷部位容易发生应力集中，导致缺陷发生变形、增大或诱发新的位错滑移，从而在宏观上表现为表面颗粒大小和数量的增加。经过热氧化处理后，其尺寸增大且表面特征更加明显，使得技术人员能够通过普通的表面观测手段即可识别出硅片原有的晶体缺陷质量，实现了对不可见微观缺陷的间接检测。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本523559.0107万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息436条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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