传言内存降价与实际供应情况不符！创见董事长：内存缺货严重，今年难以缓解

内存模组厂创见董事长束崇万表示，当前DRAM与NAND闪存市场处于严重缺货状态，AI需求激增是主因，预计今年内供应紧张局面难以缓解。

束崇万周三在投资者交流会上指出，今年第二季DDR5价格较第一季上涨40%-50%，且采购需求仍无法完全满足。

他强调，市场传言内存价格出现松动，与三星、美光等制造商的实际供应状况不符，目前供给缺口大，客户几乎每天都在催货。

束崇万明确表示，"DDR4供给缺口越来越大，闪存供给缺口也肯定会越来越大"。面对供应短缺，创见已采取选择性支持客户的策略，无法满足所有客户需求。对于依赖内存模组供应的下游厂商而言，采购压力将持续累积。

扩产难以短期兑现，供应端改善遥遥无期

尽管市场流传部分供应商扩产的消息，束崇万认为这不足以缓解近期供需矛盾。

他指出，三星、美光、海力士等主要DRAM厂商在未来一年内难以完成扩产，原因在于建厂周期较长——三星曾表示建厂至少需要两年，而部分关键设备的订单交货周期已长达一年半。这意味着欧美制造商短期内增产的可能性极低。

对于中国内存厂商的扩产计划，束崇万表示，预计今年内难以实现，明年产能能否真正释放，市场传言众多，但"真实性难以判断"。他综合供应商提供的信息判断，今年DRAM与NAND闪存的缺货状况均难以改善。

AI与边缘计算叠加需求，内存争夺全面升温

束崇万将此轮极端缺货的根本原因归结于AI需求的急剧扩张。

他表示，AI的崛起使得任何搭载CPU的设备都必然需要DRAM与闪存，同时边缘AI与自动化设备也在争夺内存资源，导致全面性的抢货现象。他认为，DRAM与闪存自去年9月起进入极端缺货状态，AI需求是关键驱动因素。

工业自动化和嵌入式应用的内存需求也在逐步增加，进一步加剧供需矛盾。对于通过技术手段降低内存需求的可能性，束崇万认为效果有限，并指出HBF技术的推出将增加而非取代对闪存的需求，且其应用场景与HBM不同。

MLC产品供应收紧，创见提前完成最后采购

在NAND闪存产品结构方面，束崇万披露，创见目前产品组合中SLC已无人使用，MLC约占10%，TLC约占90%。

值得关注的是，MLC的主要供应商Kioxia与SanDisk已相继宣布退出或停产MLC产品，预计将使该细分市场供应更趋紧张。

对此，创见已提前应对。束崇万表示，公司去年已针对工业应用的MLC产品完成"最后一次采购"，向三星、SanDisk等制造商锁定了足以满足至今年底需求的库存，确保现有客户供应不受影响。

坚守制造商直采模式，不参与现货市场投机

在采购策略上，束崇万强调，创见的经营模式几乎只与制造商直接交易，不参与价格波动剧烈的现货市场，以规避次级品、水货及降级品的风险。

他指出，与制造商交易虽然价格同样上涨，但供应更为稳定，且价格调整周期较长，为每月或每季度，而非每日波动。

束崇万同时表示，公司与供应商签有长期协议，但在极端缺货环境下，即便如此也无法保证完全满足供应。他明确表示不认同赚取投机性利润，未来将持续专注于提升服务价值、生产效率和管理绩效。

面对供应压力，下游客户已普遍采取降规格应对策略，例如将16GB内存改为8GB，或将256GB存储缩减为128GB，以控制采购成本。