全球首只！纯内存芯片ETF上市

美东时间4月2日，由Roundhill Investments推出的全球首只纯内存芯片ETF——Roundhill Memory ETF（代码"DRAM"）正式登陆美股，为投资者提供了直接布局AI基础设施核心赛道的新途径。

这只被定位为"纯内存ETF"的产品上市首日即引发市场关注，周一收报29.16美元，较发行价上涨5.04%，反映出当前内存市场的火爆程度。

关于Roundhill Investments

作为发行方的Roundhill Investments，成立于2018年，是一家在美国SEC注册的投资顾问公司，专注于推出创新型交易所交易基金。

公司由Timothy J. Mazza创立，他此前曾担任Direxion的董事总经理兼产品主管，拥有丰富的ETF产品开发经验。目前Roundhill运营着19只ETF，主要集中在科技前沿行业，包括与减肥药相关的GLP-1 & Weight Loss ETF（OZEM）、元宇宙相关的Metaverse ETF（METV）和"中国龙"ETF（DRAG）等创新产品。

2023年推出的Magnificant Seven ETF（MAGS）更被ETF.com评为年度"最佳新ETF"，彰显了公司在细分领域ETF开发的专业能力。

全球首款"纯内存ETF"

作为全球首款"纯内存ETF"，DRAM ETF有着明确的产品定位和核心技术参数。该基金全称为Roundhill Memory ETF，交易代码为DRAM，于2026年4月2日（美东时间）正式上市，属于主动管理型ETF，管理费率为0.65%。

这次投资标的严格限定为全球内存和存储产品制造商，明确要求入选企业50%以上的收入来自HBM、DRAM、NAND等内存相关业务，目前仅持有9只股票，行业覆盖DRAM、高带宽内存（HBM）、NAND闪存及固态存储设备（SSD）等多个细分赛道，投资区域实现全球化布局，覆盖美国、韩国、日本、中国台湾等主要存储芯片生产地区。

与传统被动跟踪指数的ETF不同，它采用主动管理模式，基金经理可根据市场变化动态调整持仓比例，以捕捉存储芯片行业的投资机会，而0.65%的费率在主动管理型ETF中处于中等水平，低于行业平均的0.75%，具备一定的成本优势。

DRAM ETF的持仓高度集中，截至4月1日披露的数据，前三大持仓占比超过73%，分别是美光科技（24.99%）、三星电子（24.22%）和SK海力士（23.83%），这三家企业占据全球DRAM市场90%以上的份额。其余持仓包括闪迪、日本铠侠、西部数据、希捷、南亚科和华邦电等内存大厂，覆盖了从内存芯片设计制造到存储设备生产的完整产业链。

这种高度集中的持仓策略旨在最大化获取存储芯片行业增长红利，特别是HBM（高带宽内存）作为AI服务器核心组件的爆发式需求带来的投资机会。