北京
分享至
国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司取得一项名为“MOSFET器件”的专利，授权公告号CN224083955U，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种MOSFET器件，其源端轻掺杂区和漏端轻掺杂区关于其栅极是非对称分布的，且该源端轻掺杂区延伸到该栅极下方的宽度与该漏端轻掺杂区延伸到该栅极下方的宽度之间的比值为1:1.5～1:2，由此通过控制栅极两侧的轻掺杂区的非对称分布程度之比，在改善热载流子注入(HCI)效应的同时，不会影响到器件的有效沟道长度，进而保证不影响漏电，由此改善器件性能。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目181次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1003条，此外企业还拥有行政许可56个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
